[发明专利]发光二极管封装件及其灯具无效
申请号: | 201010138987.5 | 申请日: | 2010-03-18 |
公开(公告)号: | CN102194812A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 陈盈佳;连慧华 | 申请(专利权)人: | 陈盈佳 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;F21S2/00;F21V23/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 文琦;陈波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 及其 灯具 | ||
1.一种发光二极管封装件,包含:
一基座,其具有多个内导电接点以及多个外导电接点;
一定电流晶粒,其设置于所述基座,且与所述内导电接点电性连接,所述定电流晶粒包含:
一定电流电路,其允许一第一电流通过;以及
一保护电路,其与所述定电流电路并联,且允许一第二电流通过,其中,所述第一电流以及所述第二电流的电流方向相反;
一发光二极管晶粒,其设置于所述基座,且与所述内导电接点电性连接以及与所述定电流晶粒串接;以及
一封装体,其包覆所述定电流晶粒、所述发光二极管晶粒以及所述内导电接点。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述发光二极管晶粒允许所述第一电流通过,且设置于所述定电流晶粒的上游。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述定电流电路包含一金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,MOSFET)以及一控制电路,其中所述控制电路与所述金属氧化物半导体场效晶体管的栅极电性连接,用以控制所述金属氧化物半导体场效晶体管的导通或断开;所述保护电路包含所述金属氧化物半导体场效晶体管的寄生二极管。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装件,其中,所述发光二极管晶粒包含一第一发光二极管以及一第二发光二极管,其中,所述第一发光二极管串接于所述金属氧化物半导体场效晶体管与所述内导电接点之间,所述第二发光二极管串接于所述控制电路与内导电接点之间。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装件,其中,所述第一发光二极管与所述金属氧化物半导体场效晶体管间的一节点与所述内导电接点电性连接;所述第二发光二极管与所述控制电路间的一节点与所述内导电接点电性连接。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述定电流晶粒与所述发光二极管晶粒间的节点与所述内导电接点电性连接。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述保护电路包含二极管、静电放电保护组件、金属氧化物半导体场效晶体管或双极结晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述基座包含一导线架或封装基板。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述发光二极管晶粒包含多个串接或并联的发光二极管。
10.一种发光二极管灯具,包含:
一灯座,用以与一电源电性连接;以及
一发光二极管封装件,其与所述灯座电性连接,所述发光二极管封装件包含:
一基座,其具有多个内导电接点以及多个外导电接点;
一定电流晶粒,其设置于所述基座,且与所述内导电接点电性连接,所述定电流晶粒包含:
一定电流电路,其允许一第一电流通过;以及
一保护电路,其与所述定电流电路并联,且允许一第二电流通过,其中,所述第一电流以及所述第二电流的电流方向相反;
一发光二极管晶粒,其设置于所述基座,且与所述内导电接点电性连接以及与所述定电流晶粒串接;以及
一封装体,其包覆所述定电流晶粒、所述发光二极管晶粒以及所述内导电接点。
11.如权利要求10所述的发光二极管灯具,其中,所述发光二极管晶粒允许所述第一电流通过,且设置于所述定电流晶粒的上游。
12.如权利要求10所述的发光二极管灯具,其中,所述定电流电路包含一金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,MOSFET)以及一控制电路,其中所述控制电路与所述金属氧化物半导体场效晶体管的栅极电性连接,用以控制所述金属氧化物半导体场效晶体管的导通或断开;所述保护电路包含所述金属氧化物半导体场效晶体管的寄生二极管。
13.如权利要求12所述的发光二极管灯具,其中,所述发光二极管晶粒包含一第一发光二极管以及一第二发光二极管,其中,所述第一发光二极管串接于所述金属氧化物半导体场效晶体管与所述内导电接点之间,所述第二发光二极管串接于所述控制电路与所述内导电接点之间。
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