[发明专利]具有用于修复缺陷单位单元的冗余电路的半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

第一区块，其包括多个单元矩阵；

第二区块，其包括多个单元矩阵；和

共用的熔丝组件，其由第一和第二区块共用，被配置为在所述第一区块或所述第二区块被使能并且在使能的区块中存在缺陷单元矩阵时输出缺陷指示信号。

2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述共用的熔丝组件包括：

修复检测信号产生单元，其被配置为响应对应于所述第一区块的第一单元矩阵信号或者所述第二区块的第二单元矩阵信号的熔丝切割状态产生修复检测信号；

第一缺陷指示信号输出单元，其被配置为在第一区块使能信号被激活时输出所述修复检测信号作为所述第一区块的第一缺陷指示信号；和

第二缺陷指示信号输出单元，其被配置为在第二区块使能信号被激活时输出所述修复检测信号作为所述第二区块的第二缺陷指示信号。

3.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述共用的熔丝组件进一步包括：

第一锁存单元，其耦合在所述修复检测信号产生单元与第一和第二缺陷指示信号输出单元之间并且被配置为锁存脉冲信号的所述修复检测信号。

4.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中第一和第二缺陷指示信号输出单元的每一个包括：

第二锁存单元，其被配置为在所述第一区块使能信号被激活时锁存所述修复检测信号；和

第三锁存单元，其被配置为在脉冲信号的所述第二区块使能信号被激活时锁存所述修复检测信号。

5.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述共用的熔丝组件进一步包括：

重置单元，其被配置为在所述第一区块或所述第二区块进入预充电模式时将所述修复检测信号重置到第一逻辑电平。

6.如权利要求5所述的半导体存储装置，其中所述重置单元包括；

第一晶体管，其被配置为在所述第一区块进入预充电模式时将所述修复检测信号重置到第一逻辑电平；和

第二晶体管，其被配置为在所述第二区块进入预充电模式时将所述修复检测信号重置到第一逻辑电平。

7.如权利要求2所述的半导体存储装置，其中所述修复检测信号产生单元包括：

单元矩阵信号传输单元，其被配置为响应所述第一单元矩阵信号或所述第二单元矩阵信号将具有第二逻辑电平的电压传输到熔丝；和

熔丝，其被配置为在对应于所述第一单元矩阵信号或所述第二单元矩阵信号的单元矩阵有缺陷时被切断，并且在所述熔丝切断时保持所述修复检测信号的第一逻辑电平。

8.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述单元矩阵信号传输单元包括：

传输门，其被配置为响应所述第一单元矩阵信号或所述第二单元矩阵信号向所述熔丝传输具有第二逻辑电平的电压。

9.如权利要求7所述的半导体存储装置，其中所述单元矩阵信号传输单元包括：

组合单元矩阵信号产生单元，其被配置为在第一和第二单元矩阵信号中的至少一个具有第一逻辑电平时产生具有第一逻辑电平的组合单元矩阵信号；和

第三晶体管，其被配置为响应所述组合单元矩阵信号向所述熔丝传输具有第二逻辑电平的电压。

10.如权利要求9所述的半导体存储装置，其中所述组合单元矩阵信号产生单元包括：

或非门，其被配置为对所述第一单元矩阵信号和所述第二单元矩阵信号执行或非运算；和

反相器，其被配置为使所述或非门的输出反相并且输出经反相的输出作为具有第一逻辑电平的所述组合单元矩阵信号。

11.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第一和第二区块具有其中第一和第二区块的列控制区域相互接触的堆叠区块结构。

12.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第一和第二区块利用对应于行到行的延迟(tRRD)的延迟被顺序使能。

13.一种半导体存储装置，包括：

多个区块，其包括多个单元矩阵；和

共用的熔丝组件，其由所述多个区块共用并且被配置为在所述多个区块中的至少一个被使能并且使能的区块中包括缺陷单元矩阵时输出缺陷指示信号。