[发明专利]曝光机台、阵列基板、图案化薄膜、光刻胶层及形成方法

权利要求书

1.一种曝光机台，适于对一薄膜上的一光刻胶层进行曝光，以于该光刻胶层上形成多个条状曝光图案，其特征在于，该曝光机台包括：

一光源；

一透镜组，配置于该光刻胶层与该光源之间，该透镜组包括多个彼此平行排列的条状透镜，其中任二相邻条状透镜的重迭区域定义为一透镜接合区域，该些透镜接合区域以外的区域则定义为多个透镜区域；以及

一光掩模，配置于该光刻胶层与该透镜组之间，其中该光掩模具有多个遮光图案，该遮光图案的外轮廓对应于该条状曝光图案，各该遮光图案分别具有一条状开口，且该条状开口的延伸方向平行于该遮光图案的延伸方向。

2.根据权利要求1所述的曝光机台，其特征在于，各该遮光图案的宽度为L，任二相邻遮光图案之间的间隔为S，且宽度L与间隔S的总和为6微米。

3.根据权利要求2所述的曝光机台，其特征在于，宽度L为4微米，间隔S为2微米。

4.根据权利要求2所述的曝光机台，其特征在于，宽度L为3.5微米，间隔S为2.5微米。

5.根据权利要求1所述的曝光机台，其特征在于，该光掩模具有多个第一曝光区域以及多个第二曝光区域，该第一曝光区域与该第二曝光区域交替排列，各该第一曝光区域分别对应于其中一透镜接合区域，且各该第二曝光区域分别对应于其中一透镜区域。

6.根据权利要求5所述的曝光机台，其特征在于，位于该第一曝光区域内的遮光图案包括：

多个第一遮光图案，各该第一遮光图案分别具有一第一条状开口；以及

多个第二遮光图案，各该第二遮光图案分别具有一第二条状开口，其中各该第一条状开口的宽度为SB1，各该第二条状开口的宽度为SB2，且宽度SB1小于宽度SB2。

7.根据权利要求6所述的曝光机台，其特征在于，在该第二曝光区域内，各该遮光图案的条状开口的宽度为SB，且宽度SB等于宽度SB1。

8.根据权利要求6所述的曝光机台，其特征在于，宽度SB1为1.0微米，宽度SB2为1.1微米。

9.根据权利要求6所述的曝光机台，其特征在于，该第二遮光图案随机分布于该第一曝光区域内。

10.根据权利要求9所述的曝光机台，其特征在于，该第二遮光图案在该第一曝光区域内的分布密度由中央往两侧递减。

11.一种图案化薄膜的形成方法，其特征在于，包括：

于一薄膜上形成一光刻胶层；

将已形成有该光刻胶层的该薄膜置于权利要求1所述的曝光机台内，对该光刻胶层进行曝光；

对该光刻胶层进行显影，以于该薄膜上形成一图案化光刻胶层；以及

以该图案化光刻胶层为掩模，图案化该薄膜。

12.一种图案化光刻胶层的形成方法，其特征在于，包括：

将一光刻胶层置于权利要求1所述的曝光机台内，对该光刻胶层进行曝光；以及

对该光刻胶层进行显影，以于该薄膜上形成一图案化光刻胶层。

13.一种主动元件阵列基板，其特征在于，具有多个第一区域以及多个第二区域，其中该第一区域内的图案化薄膜的临界尺寸为CD1，该第二区域包括多个随机分布的补偿区域，分布于该补偿区域内的图案化薄膜的临界尺寸为CD2，分布于该补偿区域以外的图案化薄膜的临界尺寸为CD3，且临界尺寸CD2小于临界尺寸CD3。

14.根据权利要求13所述的主动元件阵列基板，其特征在于，在该第二区域内，该补偿区域所占的面积比率由中央往两侧递减。

15.根据权利要求13所述的主动元件阵列基板，其特征在于，临界尺寸CD1等于临界尺寸CD3。

16.根据权利要求13所述的主动元件阵列基板，其特征在于，临界尺寸CD1小于临界尺寸CD3。