[发明专利]能够调整页面大小的半导体设备有效
申请号: | 201010142021.9 | 申请日: | 2010-01-13 |
公开(公告)号: | CN101807431A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 李勋;姜郁成;郑会柱 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G07F19/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 能够 调整 页面 大小 半导体设备 | ||
1.一种半导体设备,包括:
存储单元阵列,包括多个存储体;以及
页面大小控制器,被配置为基于存储体选择地址的一部分及电源电压来 设置半导体设备的页面大小或基于存储体选择地址的该一部分和行地址的一 部分来设置半导体设备的页面大小,并且基于存储体选择地址来使能所述多 个存储体中的一个或者基于存储体选择地址的剩余部分来使能所述多个存储 体中的两个,
其中,所述存储体选择地址的一部分是包括最高有效位的高位,并且所 述存储体选择地址的剩余部分不包括所述存储体选择地址的该一部分。
2.根据权利要求1所述的半导体设备,进一步包括:芯片选择电路,所 述芯片选择电路被配置为,当包括所述存储体选择地址的所述一部分及行地 址的一部分的芯片选择地址与所述半导体设备的ID相同时,生成使能所述页 面大小控制器的使能信号。
3.根据权利要求1所述的半导体设备,其中,所述页面大小控制器包括:
选择信号生成电路,被配置为生成多个选择信号;
多个选择电路,每一个选择电路被配置为响应于所述多个选择信号中的 一个选择信号,输出所述存储体选择地址的所述一部分及所述电源电压中的 一个;以及
多个译码单元,每一个译码单元被配置为接收和译码所述存储体选择地 址的所述剩余部分和多个选择电路中的一个的输出信号,并生成用于使能多 个存储体中的一个的存储体使能信号。
4.根据权利要求1所述的半导体设备,其中,所述页面大小控制器包括 多个存储体地址译码器单元,其中每个存储体地址译码器单元包括:
第一反向器,被配置为接收所述存储体选择地址的第一位;
第二反向器,配置为接收所述存储体选择地址的第二位,所述第二位与 所述第一位不同;
选择电路,被配置为接收电源电压和所述存储体选择地址的第三位,并 响应于控制信号而输出所述第三位或电源电压中的一个,所述第三位与所述 第一和第二位不同;以及
与门,被配置为接收所述第一反向器、所述第二反向器和所述选择电路 的输出。
5.一种半导体设备,包括:
存储单元阵列,包括多个存储体;以及
页面大小控制器,所述页面大小控制器被配置为,在第一操作模式中使 用行地址的一部分作为芯片ID以基于存储体选择地址来使能所述多个存储 体中的一个存储体,并且在第二操作模式中使用所述存储体选择地址的一部 分及所述行地址的一部分的组合作为芯片ID以基于所述存储体选择地址的 剩余部分来使能所述多个存储体中的至少两个存储体,
其中,所述存储体选择地址的一部分是包括最高有效位的高位,并且所 述存储体选择地址的剩余部分不包括所述存储体选择地址的该一部分。
6.根据权利要求5所述的半导体设备,其中,所述页面大小控制器包括:
解多路复用器,被配置为输出所述存储体选择地址的所述一部分;
存储体地址译码器,所述存储体地址译码器被配置为,在第一操作模式 中基于从所述解多路复用器输出的所述存储体选择地址的所述一部分和所述 存储体选择地址的剩余部分来使能所述多个存储体中的一个存储体,并且在 第二操作模式中基于所述存储体选择地址的剩余部分来使能所述多个存储体 中的至少两个存储体;以及
芯片选择电路,所述芯片选择电路被配置为,在第一操作模式中当接收 到与所述芯片ID对应的行地址的所述部分时使能所述存储体地址译码器,并 且在第二操作模式中当接收到存储体选择地址的所述一部分和与所述芯片ID 对应的行地址的所述部分时使能所述存储体地址译码器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010142021.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:β-氨基酸的制造方法
- 下一篇:立体光刻树脂组合物以及由其制成的三维物品