[发明专利]一种栅堆叠结构、半导体器件及二者的制造方法无效
| 申请号： | 201010142125.X | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102214687A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 结构 半导体器件 二者 制造 方法 | ||
1.一种栅堆叠结构，包括，
栅介质层，形成于基底内的活性区和连接区上；
栅极，形成于所述栅介质层上；以及，
侧墙，环绕所述栅介质层和所述栅极；
其特征在于，还包括：
隔离介质层，形成于所述栅极上且嵌入其中，所述侧墙覆盖所述隔离介质层中相对的侧面，位于所述活性区上的所述隔离介质层的厚度大于位于所述连接区上的所述隔离介质层的厚度。
2.根据权利要求1所述的栅堆叠结构，其特征在于：所述隔离介质层仅位于所述活性区上。
3.根据权利要求2所述的栅堆叠结构，其特征在于：在包含所述栅堆叠结构的器件中引入阻挡层时，所述隔离介质层材料与所述阻挡层材料不同。
4.根据权利要求1所述的栅堆叠结构，其特征在于：在包含所述栅堆叠结构的器件中引入阻挡层时，所述隔离介质层材料与阻挡层材料不同。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的栅堆叠结构，其特征在于：所述隔离介质层为氮化硅、碳氮化硅、掺杂或未掺杂的氧化硅玻璃或者低介电常数介质材料中的一种或其组合。
6.一种栅堆叠结构的制造方法，包括，
在包含活性区和连接区的基底上形成栅介质层、形成于所述栅介质层上的栅极，以及环绕所述栅介质层和所述栅极的侧墙；
其特征在于，还包括：
去除部分厚度的所述栅极，被去除的位于所述活性区上的厚度大于位于所述连接区上的厚度，以暴露所述侧墙中相对的内壁；
在所述栅极上形成隔离介质层，所述隔离介质层覆盖暴露的所述内壁。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，去除部分厚度的所述栅极的步骤为：仅去除位于所述活性区上的所述栅极的部分厚度。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：在形成栅堆叠结构后引入阻挡层时，所述隔离介质层材料与阻挡层材料不同。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：在形成栅堆叠结构后引入阻挡层时，所述隔离介质层材料与阻挡层材料不同。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其特征在于：所述隔离介质层为氮化硅、碳氮化硅、掺杂或未掺杂的氧化硅玻璃或者低介电常数介质材料中的一种或其组合。
11.一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包含如权利要求1至5所述的栅堆叠结构。
12.一种半导体器件的制造方法，包括，
在基底上形成栅堆叠结构；
在形成有所述栅堆叠结构的所述基底上形成金属互连；
其特征在于：采用如权利要求6至10所述的方法形成所述栅堆叠结构。
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