[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201010142391.2 | 申请日： | 2006-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101807573A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 铃木进也;樋口和久 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郑菊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
矩形形状的半导体衬底，所述半导体衬底具有第一长边，与所述第一长边相对的第二长边，第一短边以及与所述第一短边相对的第二短边；
多个第一突起，形成在所述半导体衬底上方并且沿着所述第一长边安置；
多个第二突起，形成在所述半导体衬底上方并且沿着所述第二长边安置；
多个布线，形成在所述第一突起下方；以及
多个虚设布线，形成在所述第一突起下方并且与所述布线形成在同一层，
其中安置在所述第一短边或者所述第二短边附近的所述虚设布线的数目大于安置在所述第一长边的中心部分附近的所述虚设布线的数目。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述半导体器件是液晶显示驱动器芯片。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
其中所述第一突起是输出突起，以及
其中所述第二突起是输入突起。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，
其中将所述第一突起安置为在平面图中形成Z字形。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述虚设布线是浮动状态。
6.一种半导体器件，包括：
矩形形状的半导体衬底，所述半导体衬底具有第一长边，与所述第一长边相对的第二长边，第一短边以及与所述第一短边相对的第二短边；
多个第一突起，形成在所述半导体衬底上方并且沿着所述第一长边安置；
多个第二突起，形成在所述半导体衬底上方并且沿着所述第二长边安置；
多个布线，形成在所述第一突起下方；
多个虚设布线，形成在所述第一突起下方并且与所述布线形成在同一层；
多个保护元件，形成在所述半导体衬底上，与所述布线电连接并且在平面图中安置在所述第一突起下方，
其中所述虚设布线不与保护元件电连接，以及
其中安置在所述第一短边或者所述第二短边附近的所述虚设布线的数目大于安置在所述第一长边的中心部分附近的所述虚设布线的数目。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，
其中所述半导体器件是液晶显示驱动器芯片。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，
其中所述第一突起是输出突起，以及
其中所述第二突起是输入突起。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，
其中将所述第一突起安置为在平面图中形成Z字形。
10.根据权利要求6所述的半导体器件，
其中所述虚设布线是浮动状态。
11.根据权利要求6所述的半导体器件，
其中所述保护元件是PN结二极管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
