[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：

提供一半导体基材，其中该半导体基材包括：一导电层；一介电衬层形成于该导电层之上；一保护层形成于该介电衬层之上；以及一光致抗蚀剂层形成于该保护层之上，且该保护层具有一第一开口暴露该保护层的一部分；

利用该光致抗蚀剂层作为掩模，蚀刻该保护层的暴露部分，以于该保护层中形成一第二开口，且暴露该介电衬层的一部分；以及

于温度小于约120℃的条件下进行一等离子体干式蚀刻工艺，以于相同的反应腔体内移除该光致抗蚀剂层与该介电衬层的暴露部分，并暴露该导电层的一部分。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中进行该等离子体干式蚀刻工艺包括以下步骤：

进行一含氧等离子体干式蚀刻工艺，以移除该光致抗蚀剂层；以及

进行一含氟等离子体干式蚀刻工艺，以移除该介电衬层的暴露部分。

3.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，还包括：进行一含氢等离子体干式蚀刻工艺。

4.如权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其中进行该含氟等离子体干式蚀刻工艺包括以下步骤：

于流量约100-300sccm的条件下提供四氟甲烷气体，以及流量约20-60sccm的条件下提供三氟甲烷气体。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中进行该等离子体干式蚀刻工艺于温度约10℃-30℃下进行。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中于进行该等离子体干式蚀刻工艺之后，还包括进行一湿式清洁工艺。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中进行该等离子体干式蚀刻工艺之后，形成一边缘圆弧轮廓于该保护层的顶部边缘。

8.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该导电层为一含铜导电层，且该介电衬层为一氮氧化硅衬层。

9.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该第一开口对应到一接合焊盘视窗的位置。