[发明专利]沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 201010144202.5 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102214567A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李凡;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 形成 方法 | ||
1.一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有掩膜层；
图案化掩膜层，形成具有沟槽的掩膜图案；
利用掩膜图案做掩膜，用含氟的刻蚀气体对所述掩膜层进行刻蚀，直至暴露出半导体衬底；
利用掩膜图案和刻蚀后的掩膜层做掩膜，采用体积比为13＜HBr:O2＜25的刻蚀气体，54℃＜刻蚀腔室内静电吸盘的负极温度＜60℃的刻蚀条件对所述半导体衬底进行刻蚀，直至形成深宽比大于10的沟槽。
2.如权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行刻蚀的刻蚀参数为：腔室压力60mT～150mT，偏置功率300W～1200W，电源功率300W～1500W，腔室温度50℃～60℃，刻蚀磁场强度为27GHz至40GHz，刻蚀时间为20s～50s。
3.如权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行刻蚀的刻蚀参数为：HBr的流量为200sccm，O2的流量为10sccm，NF3的流量是30sccm，腔室压力100mT，偏置功率800W，电源功率600W，刻蚀腔室内静电吸盘的负极温度为58℃，腔室温度56℃，刻蚀磁场强度为30GHz，刻蚀时间为80s。
4.如权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述掩膜层材料为氮化硅或者掺硼的氧化硅。
5.如权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述掩膜层为单一覆层或者多层堆叠结构。
6.如权利要求5所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述掩膜层包括形成在半导体衬底表面的氮化硅层和形成在氮化硅层表面的BSG层。
7.如权利要求6所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度可以为1300埃至1700埃。
8.如权利要求6所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述BSG层的厚度可以为4300埃至4700埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
