[发明专利]在基材上形成穿导孔的方法及具有穿导孔的基材有效
申请号: | 201010144216.7 | 申请日: | 2010-03-12 |
公开(公告)号: | CN102005398A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 王盟仁;杨国宾 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/485 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 形成 穿导孔 方法 具有 | ||
1.一种在基材上形成穿导孔的方法,包括:
(a)提供一基材,该基材具有一第一表面及一第二表面;
(b)形成一开槽于该基材的第一表面,该开槽具有一侧壁及一底面;
(c)形成一导电金属于该开槽的该侧壁与该底面,而形成一中心槽;
(d)形成一环槽于该基材的第一表面,该环槽围绕该导电金属;
(e)形成一绝缘材料于该中心槽及该环槽内;及
(f)去除部分该基材的第二表面,以显露该导电金属及该绝缘材料。
2.如权利要求1的方法,其中该步骤(d)包括:
(d1)形成一第二光阻层于该基材的第一表面;
(d2)于该第二光阻层上形成一第二开口,该第二开口的位置相对于该开槽的位置,且该第二开口的直径大于该开槽的直径;及
(d3)根据该第二开口于该基材上形成该环槽。
3.如权利要求1的方法,其中该步骤(d)中,该环槽并未贯穿该基材。
4.如权利要求1的方法,其中该步骤(d)中,该环槽的深度小于或等于该导电金属的高度。
5.如权利要求1的方法,其中该步骤(e)包括:
(e1)形成一聚合物于该中心槽及该环槽的相对位置;及
(e2)以真空吸附方式将该聚合物吸入该中心槽及该环槽内,以形成该绝缘材料。
6.如权利要求1的方法,其中该步骤(e)包括:
(e1)形成数个第一排气孔及数个第二排气孔,该等第一排气孔连通该中心槽及该基材的第二表面,该等第二排气孔连通该环槽及该基材的第二表面;
(e2)形成一聚合物于该中心槽及该环槽的相对位置;及
(e3)填入该聚合物至该中心槽、该环槽、该等第一排气孔及该等第二排气孔内,以形成该绝缘材料。
7.如权利要求1的方法,其中该步骤(f)之后更包括一形成至少一重布层于该基材的该第一表面及该第二表面的其一或两者的步骤。
8.一种在基材上形成穿导孔的方法,包括:
(a)提供一基材,该基材包括一基材本体及一线路层,该基材本体具有一第一表面及一第二表面,该线路层位于该基材本体的第二表面;
(b)形成一开槽于该基材本体的第一表面,该开槽具有一侧壁及一底面,其中该开槽贯穿该基材本体,且显露该线路层;
(c)形成一导电金属于该开槽的该侧壁与该底面,而形成一中心槽,其中该导电金属接触该线路层;
(d)形成一环槽于该基材本体的第一表面,该环槽围绕该导电金属;及
(e)形成一绝缘材料于该中心槽及该环槽内。
9.如权利要求8的方法,其中该步骤(d)包括:
(d1)形成一第二光阻层于该基材本体的第一表面;
(d2)于该第二光阻层上形成一第二开口,该第二开口的位置相对于该开槽的位置,且该第二开口的直径大于该开槽的直径;及
(d3)根据该第二开口于该基材本体上形成该环槽。
10.如权利要求8的方法,其中该步骤(e)包括:
(e1)形成一聚合物于该中心槽及该环槽的相对位置;及
(e2)以真空吸附方式将该聚合物吸入该中心槽及该环槽内,以形成该绝缘材料。
11.如权利要求8的方法,其中该步骤(e)之后更包括一形成一重布层于该基材本体的该第一表面的步骤。
12.一种具有穿导孔的基材,包括:
一基材,包括一基材本体及一线路层,该基材本体具有一第一表面、一第二表面及一穿导孔,该穿导孔贯穿该基材本体,该线路层位于该基材本体的第二表面;
一导电金属,位于该穿导孔内,该导电金属具有一环状侧部及一底部,其中该环状侧部内定义为一中心槽,一环槽形成于该环状侧部及该穿导孔的侧壁之间,该底部接触该线路层;及
一绝缘材料,位于该中心槽及该环槽内。
13.如权利要求12的基材,更包括一重布层,位于该基材本体的第一表面,其中该重布层接触该导电金属。
14.如权利要求13的基材,更包括一钝化层,位于该基材本体的第一表面,其中该钝化层具有一开口,该重布层位于该开口内。
15.如权利要求12的基材,其中绝缘材料更位于该基材本体的第一表面,其中该绝缘材料具有一开口,该重布层位于该开口内。
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