[发明专利]在基材上形成穿导孔的方法及具有穿导孔的基材

说明书

技术领域

本发明关于一种在基材上形成穿导孔的方法及具有穿导孔的基材，详言之，关于一种在基材穿导孔的侧壁上形成绝缘层的方法及具有穿导孔的基材。

背景技术

参考图1至图3，显示已知在基材上形成穿导孔的方法的示意图。首先，参考图1，提供一基材1，该基材1具有一第一表面11及一第二表面12。接着，于该基材1的第一表面11上形成数个沟槽13。接着，利用化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition，CVD)形成一绝缘层14于该等沟槽13的侧壁，且形成数个容置空间15。该绝缘层14的材质通常为二氧化硅。

接着，参考图2，填入一导电金属16于该等容置空间15内。该导电金属16的材质通常为铜。最后，研磨或蚀刻该基材1的第一表面11及第二表面12，以显露该导电金属16，如图3所示。

在该已知的方法中，由于该绝缘层14利用化学气相沉积法所形成，因此该绝缘层14在该等沟槽13的侧壁的厚度会有先天上的限制，通常小于0.5μm。此外，该绝缘层14在该等沟槽13的侧壁的厚度会有不均匀的问题，亦即，位于该等沟槽13上方侧壁上的绝缘层14的厚度与位于该等沟槽13下方侧壁上的绝缘层14的厚度并不会完全一致。因而造成电容不一致的情况。

因此，有必要提供一种在基材上形成穿导孔的方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种在基材上形成穿导孔的方法，其包括以下步骤：(a)提供一基材，该基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一开槽于该基材的第一表面，该开槽具有一侧壁及一底面；(c)形成一导电金属于该开槽的该侧壁与该底面，而形成一中心槽；(d)形成一环槽于该基材的第一表面，该环槽围绕该导电金属；(e)形成一绝缘材料于该中心槽及该环槽内；及(f)去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该绝缘材料。

本发明更提供一种在基材上形成穿导孔的方法，其包括以下步骤：(a)提供一基材，该基材包括一基材本体及一线路层，该基材本体具有一第一表面及一第二表面，该线路层位于该基材本体的第二表面；(b)形成一开槽于该基材本体的第一表面，该开槽具有一侧壁及一底面，其中该开槽贯穿该基材本体，且显露该线路层；(c)形成一导电金属于该开槽的该侧壁与该底面，而形成一中心槽，其中该导电金属接触该线路层；(d)形成一环槽于该基材本体的第一表面，该环槽围绕该导电金属；及(e)形成一绝缘材料于该中心槽及该环槽内。

本发明再提供一种具有穿导孔的基材，其包括一基材、一导电金属及一绝缘材料。该基材包括一基材本体及一线路层。该基材本体具有一第一表面、一第二表面及一穿导孔。该穿导孔贯穿该基材本体。该线路层位于该基材本体的第二表面。该导电金属位于该穿导孔内。该导电金属具有一环状侧部及一底部，其中该环状侧部内定义为一中心槽。一环槽形成于该环状侧部及该穿导孔的侧壁之间。该底部接触该线路层。该绝缘材料位于该中心槽及该环槽内。

在本发明中，可以在该穿导孔内形成较厚的绝缘材料。再者，该绝缘材料在该穿导孔内并不会有厚度不均匀的问题。并且，本发明可以利用聚合物作为绝缘材料，因而可以针对特定的工艺选用不同的聚合物材质。此外，该绝缘材料同时形成于该中心槽及该环槽内。因此，可简化该基材的工艺，且降低制造成本。

附图说明

图1至图3显示已知在基材上形成穿导孔的方法的示意图；

图4至图19显示本发明在基材上形成穿导孔的方法的第一实施例的示意图；

图20至图32显示本发明在基材上形成穿导孔的方法的第二实施例的示意图；

图33显示本发明具有穿导孔的基材的第三实施例的示意图；及

图34显示本发明具有穿导孔的基材的第四实施例的示意图。

具体实施方式

参考图4至图19，显示本发明在基材上形成穿导孔的方法的第一实施例的示意图。参考图4及图5，其中图4为基材的俯视图，图5为图4中沿着线5-5的剖面图。首先，提供一基材21，该基材21具有一第一表面211及一第二表面212。该基材21可为一具有功能的晶圆(Functional Wafer)、一不具功能的晶圆(Dummy Wafer)或一硅基材。接着，形成一开槽231(图6)于该基材21的第一表面211，该开槽231具有一侧壁232及一底面233，在本实施例中，形成一第一光阻层241于该基材21的第一表面211，且于该第一光阻层241上形成一第一开口242。