[发明专利]一种高纯铝硅碳块体的合成方法

权利要求书

1.一种铝硅碳块体的制备方法，包括下述步骤：

1)按照下述质量百分比称取原料：Al₂O₃原料45-60％、SiO₂原料10％-20％、碳原料30-40％和SiC原料1-4％，将所述原料按照从下到上的顺序组装为一层原料组：Al₂O₃原料-碳原料SiC原料-SiO₂原料，再将所述原料组层层叠加置于电弧炉的炉膛中；

2)然后于空气氛中，在电弧炉内进行熔炼，将熔炼得到的产物冷却后，除去产物表面的杂质层，即得到铝硅碳块体；所述熔炼的温度为3000-3500℃，所述熔炼的时间为5-8小时。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1)中所述一层原料组的厚度为200-300mm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述Al₂O₃原料的粒度为1-50mm；所述SiO₂原料的粒度为1-150mm；所述碳原料的粒度为1-20mm；所述SiC原料的粒度为1-5mm。

4.根据权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于：所述Al₂O₃原料中Al₂O₃的质量百分含量≥99％；所述SiO₂原料中SiO₂的质量百分含量≥99％；所述碳原料中固定碳的质量百分含量≥87％，挥发分的质量百分含量≤12％，灰分的质量百分含量≤1％；所述SiC原料中SiC的质量百分含量≥98％，Si与SiO₂的质量百分含量之和≤1％，游离碳的质量百分含量≤1％。

5.根据权利要求14中任一所述的方法，其特征在于：所述Al₂O₃原料选自烧结刚玉或电熔刚玉。

6.根据权利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于：所述SiO₂原料为石英砂。

7.根据权利要求1-6中任一所述的方法，其特征在于：所述碳原料选自石油焦炭或煤焦炭。

8.根据权利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于：所述SiC原料为黑碳化硅或绿碳化硅。