[发明专利]芯片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种芯片封装体，包括：

基底；

第一凹槽，自该基底的上表面向下延伸；

金属层，位于该基底之上，且顺应性覆盖于该第一凹槽的侧壁与底部上；

第一芯片，具有第一上表面，设置于该第一凹槽中的该金属层上，该第一上表面不低于该第一凹槽外的该金属层的上表面；以及

保护层，覆盖于该第一芯片之上。

2.如权利要求1所述的芯片封装体，还包括至少一第一导电结构，设置于该保护层之上，该第一导电结构与该第一芯片或该金属层电性连接。

3.如权利要求1所述的芯片封装体，其中该第一凹槽的侧壁倾斜于该基底的该上表面。

4.如权利要求1所述的芯片封装体，还包括第一绝缘层，位于该金属层与该保护层之间，且该第一绝缘层的上表面不高于该第一芯片的该第一上表面。

5.如权利要求1所述的芯片封装体，还包括：

第二凹槽，自该基底的该上表面向下延伸，其中该金属层顺应性覆盖于该第二凹槽的侧壁与底部上；以及

第二芯片，具有第二上表面，设置于该第二凹槽中的该金属层上，该第二上表面不低于该第二凹槽外的该金属层的该上表面。

6.如权利要求5所述的芯片封装体，还包括至少一第二导电结构，设置于该保护层之上，该第二导电结构与该第二芯片或该金属层电性连接。

7.一种芯片封装体的形成方法，包括：

提供暂时基底；

在该暂时基底上形成第一柔性绝缘层；

在该第一柔性绝缘层上接合至少一芯片；

将该第一柔性绝缘层硬化为第一绝缘层；

在该暂时基底上形成金属层，该金属层顺应性覆盖于该第一绝缘层与该芯片之上；

在该金属层上形成介电层；

移除该暂时基底；

移除该第一绝缘层；以及

在该芯片上形成保护层。

8.如权利要求7所述的芯片封装体的形成方法，其中接合该芯片的步骤包括将部分的该芯片压入该第一柔性绝缘层中。

9.如权利要求7所述的芯片封装体的形成方法，其中该芯片的侧壁倾斜于该暂时基底的上表面。

10.如权利要求7所述的芯片封装体的形成方法，还包括于形成该第一柔性绝缘层之前，在该暂时基底上形成第二柔性绝缘层。

11.如权利要求10所述的芯片封装体的形成方法，其中于该第一柔性绝缘层上接合该芯片的步骤包括将部分的该芯片压入该第一柔性绝缘层中，并使该芯片与该第二柔性绝缘层直接接触。

12.如权利要求11所述的芯片封装体的形成方法，还包括将该第二柔性绝缘层硬化为第二绝缘层。

13.如权利要求12所述的芯片封装体的形成方法，其中该第二柔性绝缘层的硬化步骤与该第一柔性绝缘层的硬化步骤同时进行。

14.如权利要求10所述的芯片封装体的形成方法，还包括在形成该第一柔性绝缘层之前，将该第二柔性绝缘层硬化为第二绝缘层。

15.如权利要求14所述的芯片封装体的形成方法，其中接合该芯片的步骤包括将部分的该芯片压入该第一柔性绝缘层中，并使该芯片与该第二绝缘层直接接触。

16.一种芯片封装体的形成方法，包括：

提供暂时基底；

在该暂时基底上形成绝缘层；

在该绝缘层上形成柔性绝缘层；

在该柔性绝缘层上接合至少一芯片；

在该暂时基底上形成金属层，该金属层顺应性覆盖于该柔性绝缘层与该芯片之上；

在该金属层上形成介电层；

移除该暂时基底；

移除该柔性绝缘层；以及

在该芯片上形成保护层。

17.如权利要求16所述的芯片封装体的形成方法，其中接合该芯片的步骤包括将部分的该芯片压入该柔性绝缘层中。

18.如权利要求17所述的芯片封装体的形成方法，其中该芯片与该绝缘层直接接触。

19.如权利要求16所述的芯片封装体的形成方法，其中该绝缘层的形成包括于该暂时基底上形成第二柔性绝缘层，并将该第二柔性绝缘层硬化为该绝缘层。

20.如权利要求16所述的芯片封装体的形成方法，还包括在保护层上形成多个导电结构，所述导电结构电性连接至该芯片或该金属层。