[发明专利]一种多层单元闪存读写方法、装置及存储设备

权利要求书

1.一种多层单元闪存读写方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：

计算多层单元闪存中最低有效位页对应的存储地址，将数据写入所述最低有效位页对应的存储地址。

2.如权利要求1所述的多层单元闪存读写方法，其特征在于，所述方法具体包括下述步骤：

读写当前最低有效位页；

判断所述当前最低有效位页的读写是否完成；

当判断所述当前最低有效位页的读写完成时，计算下一个最低有效位页对应的存储地址；

判断所述下一个最低有效位页对应的存储地址是否是存储块的最后一个最低有效位页对应的存储地址，是则结束读写。

3.一种多层单元闪存读写装置，其特征在于，所述装置包括：

数据读写单元，用于计算多层单元闪存中最低有效位页对应的存储地址，将数据写入所述最低有效位页对应的存储地址。

4.如权利要求3所述的多层单元闪存读写装置，其特征在于，所述数据读写单元具体包括：

数据读写模块，用于读写当前最低有效位页；

第一判断模块，用于判断所述当前最低有效位页的读写是否完成；

存储地址计算模块，用当判断所述当前最低有效位页的读写完成时，计算下一个最低有效位页对应的存储地址；

第二判断模块，用于判断所述下一个最低有效位页对应的存储地址是否是存储块的最后一个最低有效位页对应的存储地址，是则结束读写，否则启动数据读写模块。

5.一种基于多层单元闪存的存储设备，其特征在于，所述存储设备包括多层单元闪存读写装置，所述装置包括：

数据读写单元，用于计算多层单元闪存中最低有效位页对应的存储地址，将数据写入所述最低有效位页对应的存储地址。

6.如权利要求5所述的存储设备，其特征在于，所述存储设备是U盘、固态硬盘和数码播放器。