[发明专利]一种多层单元闪存读写方法、装置及存储设备

说明书

技术领域

本发明属于闪存技术领域，尤其涉及一种多层单元闪存读写方法、装置及存储设备。

背景技术

闪存按照其内部构架可以分为单层单元闪存，每个单元(cell)中存储1个位(bit)的信息；多层单元闪存，每个单元(cell)至少存储2个位(bit)信息，其中，多层单元闪存包括2bit/cell、3bit/cell以及以后出现的更多位元的闪存。

单层单元闪存的数据写入是通过对浮栅的电荷加电压，经过源极将所存储的电荷消除，通过这样的方式，以存储一个信息位(1代表消除，0代表写入)。而多层单元闪存则是在浮栅中使用不同程度的电荷，因此能在单一晶体管中存储多个位的信息，并通过单元的写入与感应的控制，在单一晶体管中产生多种状态，对于单层单元闪存及多层单元闪存而言，同样容量的单元要存储1位与存储多位的稳定度和复杂度不同，单层单元闪存比多层单元闪存稳定，且单层单元闪存写入速度较快。从数据存储机制方面看，闪存内部包含多个块，每个块由多个页构成。单层单元闪存的所有页都是快速且稳定可靠的，而多层单元闪存的块内只有一部分页是快速且稳定可靠的，结构跟单层单元闪存内的页类似。例如，以2bit/cell的闪存为例，一个单元包含两个位(0，1位)，0位称为最低有效位，1位称为非最低有效位，可产生四种状态(00，01，11，10)，以写入块内不同的页内，每个单元的两位分别写入块中相对应的页，其中，写入最低有效位的页称为最低有效位页，写入其他非最低有效位的页称为非最低有效位页，所述最低有效位页为快速且稳定可靠的页，其结构与单层单元闪存中的页类似，并且同一型号的闪存其最低有效位页在所有的块内的分布都是一样的。同理，3bit/cell的闪存，一个单元包含3个位(0，1，2位)，0位称为最低有效位，1位和2位称为非最低有效位，其中写入0位的页为最低有效位页，写入1位和2位的页为非最低有效位页，其中，用最低有效位页来描述多层单元闪存中快速且稳定可靠的页，用非最低有效位页来描述多层单元闪存中其它页。

现有技术的缺点是因工艺不成熟或者其他原因使多层单元闪存性能不稳定，并且相应的多层单元闪存存储设备存储性能不稳定。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种多层单元闪存读写方法，旨在解决现有技术中多层单元闪存性能不稳定，且相应的多层单元闪存存储设备性能不稳定的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种多层单元闪存读写方法，所述方法包括下述步骤：

计算多层单元闪存中最低有效位页对应的存储地址，将数据写入所述最低有效位页对应的存储地址。

本发明实施例的另一目的在于提供一种多层单元闪存读写装置，所述装置包括：

数据读写单元，用于计算多层单元闪存中最低有效位页对应的存储地址，将数据写入所述最低有效位页对应的存储地址。

本发明实施例的另一目的在于提供一种基于多层单元闪存的存储设备，所述存储设备包括多层单元闪存读写装置，所述装置包括：

数据读写单元，用于计算多层单元闪存中最低有效位页对应的存储地址，将数据写入所述最低有效位页对应的存储地址。

在本发明实施例中，通过计算多层单元闪存中最低有效位页对应的存储地址，将数据写入最低有效位页对应的存储地址，提高了多层单元闪存的稳定性，由于只对多层单元闪存中稳定可靠的最低有效位页读写，相应的可以提高多层单元闪存存储设备的稳定性。

附图说明

图1是本发明实施例提供的多层单元闪存读写方法的实现流程图；

图2是本发明实施例提供的多层单元闪存读写装置的结构图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明实施例中，通过计算多层单元闪存中最低有效位页对应的存储地址，将数据写入最低有效位页对应的存储地址，提高了多层单元闪存的稳定性。

在本发明实施例中，用最低有效位页来描述多层单元闪存中快速且稳定可靠的页，用非最低有效位页来描述多层单元闪存中其它的页，同一型号的闪存其最低有效位页在存储块内的分布是可以由闪存厂商提供的，且最低有效位页在所有的存储块内的分布都是一样的。

在本发明实施例中，当有数据存储时，将数据写入最低有效位页对应的存储地址，由于最低有效位页是稳定可靠的，提高了多层单元闪存的稳定性，同时还可以提高多层单元闪存的读写速度，降低多层单元的功耗。此外，由于稳定性的提高，还可以将多层单元闪存应用到相对可靠、稳定性、功耗、速度要求非常严格的系统中。