[发明专利]导电性高分子/掺杂剂分散体、导电性组合物及导电性被膜有效
| 申请号： | 201010144814.4 | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101899197A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 平崎正和;水口真司;木村俊之;泽田浩 | 申请（专利权）人： | 荒川化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C08L65/00 | 分类号： | C08L65/00;C08L79/04;C08L79/02;C08L25/04;H01B1/12;C08F283/00;C08L51/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电性 高分子 掺杂 散体 组合 | ||
1.一种导电性高分子/掺杂剂分散体(1)，其将导电性高分子(A)、掺杂剂(B)及络合物形成剂(C)分散于有机溶剂中而成。
2.根据权利要求1所述的导电性高分子/掺杂剂分散体(1)，其中，导电性高分子(A)为选自聚噻吩类、聚吡咯类和聚苯胺类中的至少一种化合物。
3.根据权利要求1或2所述的导电性高分子/掺杂剂分散体(1)，其中，掺杂剂(B)为聚苯乙烯磺酸和/或其的盐。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的导电性高分子/掺杂剂分散体(1)，其中，络合物形成剂(C)在分子中具有至少一个选自磷酸基、取代磷酸基、羧基、氨基、羟基以及酚性羟基中的官能团。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的导电性高分子/掺杂剂分散体(1)，其中，还含有胺类化合物(D)。
6.根据权利要求5所述的导电性高分子/掺杂剂分散体(1)，其中，胺类化合物(D)为在分子中具有聚氧化烯基结构或烷基结构的化合物。
7.根据权利要求1～6的任一项所述的导电性高分子/掺杂剂分散体(1)，其中，有机溶剂为醇类。
8.根据权利要求1～7的任一项所述的导电性高分子/掺杂剂分散体(1)，其中，含有过渡金属离子。
9.一种导电性组合物，其含有权利要求1～8的任一项所述的导电性高分子/掺杂剂分散体(1)及活性能量射线自由基聚合性化合物(2)。
10.一种导电性组合物，其含有权利要求1～8的任一项的导电性高分子/掺杂剂分散体(1)及活性能量线阳离子聚合性化合物(3)。
11.一种导电性被膜，其将权利要求9或10的导电性组合物涂覆在基体材料上，用活性能量线使其固化而成。
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