[发明专利]导电性高分子/掺杂剂分散体、导电性组合物及导电性被膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种导电性高分子/掺杂剂分散体、导电性组合物及导电性被膜。

背景技术

聚噻吩类等导电性高分子通常作为进行了各种掺杂剂处理的“导电性高分子/掺杂剂”而用于各种用途。另外，在用于塑料膜用涂层剂等用途的情况下，考虑与各种有机粘合剂(binder)的相容性及成膜性等，通常可以以分散在有机溶剂中的“导电性高分子/掺杂剂分散体”的形式使用(例如，参照专利文献1)。

但是，导电性高分子/掺杂剂暴露在大气中时，存在导电性经时下降的问题。这被认为是由于，在大气中因紫外线或红外线而产生的氧自由基切断了导电性高分子内的π共轭性双键。为抑制导电性下降，已知有并用特定的高分子型紫外线吸收剂的方法(参照专利文献2)，但由于该紫外线吸收剂阻碍自由基聚合反应，因此，限制了导电性高分子/掺杂剂的用途。

专利文献1：日本特开2008-45116号公报

专利文献2：日本特开平8-151465号公报

发明内容

本发明的主要的课题在于，提供一种导电性良好、且导电性经时降低的幅度小(以下称为耐候性)的新型导电性高分子/掺杂剂的有机溶剂分散体。

本发明人发现，在现有的导电性高分子/掺杂剂分散体中含有微量的金属离子(Fe²⁺，Fe³⁺，Cu²⁺等)，同时还发现，通过使用捕获这些金属离子的络合物形成剂可以解决所述课题。

即，本发明涉及：一种导电性高分子/掺杂剂分散体(1)(以下称为(1)成分)，其是将导电性高分子(A)(以下称为(A)成分)、掺杂剂(B)(以下称为(B)成分)及络合物形成剂(C)(以下称为(C)成分)分散于有机溶剂中而成的；一种含有该(1)成分及活性能量射线自由基聚合性化合物(2)(以下称为(2)成分)的导电性组合物；一种含有该(1)成分及活性能量射线阳离子聚合性化合物(3)(以下称为(3)成分)的导电性组合物；一种将该导电性组合物涂敷在基材上而成的导电性被膜。

本发明的导电性高分子/掺杂剂分散体(1)(以下称为(1)成分)的贮藏稳定性、导电性、耐候性等良好。因此，(1)成分适合用作例如塑料膜涂层剂、导电性粘接剂、防静电涂料、防腐蚀涂料等的防静电剂、透明电极用的被膜形成材料。

另外，利用本发明的导电性组合物，可以得到导电性及耐候性、耐溶剂性、硬度等优良的被膜。因此，该导电性组合物例如作为防静电涂层剂是有用的，可以用于导电性膜、电子部件载带、磁卡、磁带、磁盘、脱模膜、IC托盘等。

具体实施方式

作为(A)成分，可例示各种公知的成分(日本特开2008-45116号公报等)。具体而言，优选主链由π共轭系构成的有机高分子，例如可以举出：聚噻吩类、聚噻吩乙烯撑(poly(thiophene vinylene))类、聚吡咯类、聚呋喃类等杂环类导电性高分子；聚苯胺类、聚苯撑类、聚苯乙炔(poly(phenylenevinylene))类、聚萘乙炔(poly(naphthalene vinylene))类等非稠合芳环类导电性高分子；聚并苯(polyacene)类等稠合芳环类导电性高分子等。另外，这些导电性高分子可以在其杂环或芳环上键合烷撑二氧基(alkylenedioxy group)、烷氧基、烷基、羧基、羟基、苯基、氰基、卤素。其中，从(1)成分的贮藏稳定性等观点出发，优选杂环类导电性高分子、稠合芳环类导电性高分子。特别优选选自聚噻吩类、聚吡咯类及聚苯胺类中的至少一种化合物。

另外，所谓“聚噻吩”，是指噻吩为形成(A)成分的前体单体。对于其它(A)成分也同样。

例示聚噻吩类时，可以举出：聚噻吩；聚(3，4-乙撑二氧噻吩)、聚(3，4-丙撑二氧噻吩)、聚(3，4-丁撑二氧噻吩)等烷撑二氧基取代聚噻吩类；聚(3，4-二甲氧基噻吩)、聚(3，4-二乙氧基噻吩)、聚(3，4-二丙氧基噻吩)、聚(3，4-二丁氧基噻吩)等烷氧基取代聚噻吩类；聚(3，4-二甲基噻吩)、聚(3，4-二丁基噻吩)等烷基取代聚噻吩类；聚(3-甲基-4-羧基乙基噻吩)等。其中，优选烷撑二氧基取代聚噻吩类，特别优选聚(3，4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)。