[发明专利]微芯片矩阵式光源模块无效
申请号: | 201010145006.X | 申请日: | 2008-08-18 |
公开(公告)号: | CN101807594A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 叶文勇;颜玺轩;薛翰聪 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 矩阵 光源 模块 | ||
1.一种微芯片矩阵式光源模块,其包含:
基板;
至少二发光二极管,形成于该基板的第一表面上,其中各个所述发光二极管包括楔形侧面部分;以及
光折射材料,至少部分覆盖该楔形侧面部分。
2.如权利要求1所述的微芯片矩阵式光源模块,其中各个所述发光二极管发出不同颜色的光。
3.如权利要求1所述的微芯片矩阵式光源模块,其中该光折射材料是选自氧化硅、氮化硅以及氧化硅与氮化硅的组合所组成的族群。
4.如权利要求1所述的微芯片矩阵式光源模块,其还包含光吸收层,该光吸收层形成于该基板的第二表面上,该第二表面与该第一表面为该基板的相对两侧。
5.如权利要求1所述的微芯片矩阵式光源模块,其中该楔形侧面部分与该第一表面夹有一锐角。
6.一种微芯片矩阵式光源模块,包含:
基板;以及
至少二发光二极管结构,形成于该基板的第一表面上,其中各个所述发光二极管结构包含:
发光二极管;以及
多个折光体,邻近该发光二极管的侧面部分。
7.如权利要求6所述的微芯片矩阵式光源模块,其中各个所述发光二极管结构发出不同颜色的光。
8.如权利要求6所述的微芯片矩阵式光源模块,其中所述折光体为光子带隙结构。
9.如权利要求6所述的微芯片矩阵式光源模块,其中该发光二极管结构的侧面部分呈楔形。
10.如权利要求9所述的微芯片矩阵式光源模块,其中该呈楔形的侧面部分与该基板的该第一表面夹有一锐角。
11.如权利要求9所述的微芯片矩阵式光源模块,其中该呈楔形的侧面部分至少部分被光折射层所覆盖。
12.如权利要求11所述的微芯片矩阵式光源模块,其中该光折射层是选自氧化硅、氮化硅以及氧化硅与氮化硅的组合所组成的族群。
13.如权利要求6所述的微芯片矩阵式光源模块,其中该折光体配置成可发光。
14.如权利要求6所述的微芯片矩阵式光源模块,其还包含光吸收层,该光吸收层形成于该基板的第二表面上,该第二表面与该第一表面为该基板的相对两侧。
15.如权利要求6所述的微芯片矩阵式光源模块,其还包含光反射体,该光反射体形成于该基板的该第一表面上,介于所述发光二极管结构之间,用以反射并将自所述发光二极管的侧向发出的光重新导向。
16.如权利要求15所述的微芯片矩阵式光源模块,其中该光反射体包含:
内部主体,其包括第一层,该第一层对应于至少一发光二极管中的第二层;以及
光反射层,位于该内部主体上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的