[发明专利]微芯片矩阵式光源模块无效
申请号: | 201010145006.X | 申请日: | 2008-08-18 |
公开(公告)号: | CN101807594A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 叶文勇;颜玺轩;薛翰聪 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 矩阵 光源 模块 | ||
本发明是中国发明专利申请(申请号:200810145000.5,申请日:2008年8月18日,发明名称:微芯片矩阵式光源模块)的分案申请。
技术领域
本发明涉及微芯片矩阵式光源模块(microchip matrix light sourcemodule)。更具体而言,本发明涉及微芯片发光二极管(light emitting diode,LED)矩阵式光源模块。
背景技术
目前,由于发光二极管元件的微芯片阵列可应用于侦测器、成像感应器(imaging sensor)以及微显示器(micro-display)中,故发光二极管元件的微芯片阵列备受瞩目。虽然以微芯片阵列发光二极管作为微显示器的光源有很大的发展性,但仍然有许多问题存在。
举例而言,发光二极管元件所发出的光应能有效地被导向观测者所在之处,意即,在发光二极管元件发出光后,应对光进行准直。图1为已知一种对来自发光二极管元件的光进行准直的方法。Choi等人在2005年3月11日的Phys.Stat.Sol.(c)2第7期2903-2906页上的论文中提出一种形成于发光二极管元件102上的微透镜(microlens)100阵列。发光二极管元件102所发出的光101可于观测者所在的处聚焦成焦点,因而可改善光能的传输效率。然而,发光二极管元件102侧向地发出光束104至相邻发光二极管元件上很可能会导致光学串扰(optical cross-talk)效应。此光学串扰效应会降低发光二极管元件的色彩饱和度(color saturation)。
为解决光学串扰问题,美国专利第6,882,101号提出图2所示的结构。将不透明材料(opaque material)202填充在形成于基板200上的发光二极管元件204之间。由发光二极管元件204所发射的侧向光可被所填入的不透明材料202吸收,因而可减少光学串扰。然而,由于每一个发光二极管元件204所发出的侧向光都会被吸收,因此,无法将侧向光利用于显示,故使能量效率降低。
发明内容
本发明提供一种微芯片矩阵式光源模块,包含基板以及形成于基板表面上的发光二极管元件。发光二极管元件具有楔形侧面部分(tapered sideportion),楔形侧面部分地或全部地被光折射层(light refractive layer)所覆盖。
本发明提供一种微芯片矩阵式光源模块,包含基板以及形成于基板表面上的发光二极管。微芯片矩阵式光源模块还包括光反射体(light reflector),光反射体也形成于基板表面上,且光反射体介于发光二极管之间,并配置成可反射,因此光反射体可将由发光二极管的侧向所发出的光重新导向。光反射体包括内部主体。内部主体可部分地或全部地被诸如金属层等的光反射层所覆盖。内部主体包括一层,此层对应于发光二极管内部结构中的至少之一层。
本发明提供一种微芯片矩阵式光源模块,包含至少两个发光二极管结构,发光二极管结构形成于基板的表面上。发光二极管结构包括发光二极管以及折光体(light bender)。折光体邻近于发光二极管的侧面部分。
并入本说明书且构成本说明书的部分的附图说明了本发明的实施例,且用以连同实施方式来阐释本发明的特征、优势以及原理。
附图说明
图1为已知一种包括发光二极管元件的光源。
图2为已知另一种包括发光二极管元件的光源。
图3是依照本发明第一实施例的包括发光二极管元件的微芯片矩阵式光源。
图4是依照本发明第二实施例的包括发光二极管元件的微芯片矩阵式光源。
图5是依照本发明第三实施例的包括发光二极管元件的微芯片矩阵式光源。
图6a以及图6b是依照本发明第四实施例的包括发光二极管元件的微芯片矩阵式光源。
图7是依照本发明第五实施例的包括发光二极管元件的微芯片矩阵式光源。
图8是依照本发明第六实施例的包括发光二极管元件的微芯片矩阵式光源。
附图标记说明
100:微透镜 101:光
102:发光二极管元件 104:光束
200:基板 202:不透明材料
204:发光二极管元件 300:微芯片矩阵式光源模块
302a:发光二极管元件 302b:发光二极管元件
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010145006.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防篡改的物品安全装置和方法
- 下一篇:含有吡菲尼酮的凝胶
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的