[发明专利]电容元件及其制造方法、固态成像器件以及成像装置

权利要求书

1.一种电容元件，包括：

有源区域，由形成在半导体基板中的元件隔离区域分开；

在所述有源区域中由扩散层形成的第一电极；

绝缘层，形成在所述第一电极上；以及

第二电极，经由所述绝缘层形成在所述第一电极的平坦表面上，其中在平面布局中，所述第二电极形成在所述有源区域内且在所述第一电极内。

2.根据权利要求1所述的电容元件，其中所述元件隔离区域是LOCOS结构。

3.根据权利要求1所述的电容元件，其中所述元件隔离区域是STI结构。

4.根据权利要求3所述的电容元件，其中所述第二电极经由所述绝缘层形成并延伸到所述STI结构的所述元件隔离区域上。

5.根据权利要求1所述的电容元件，其中所述第一电极的所述扩散层具有1×10¹⁸个原子/cm³以上的杂质浓度。

6.根据权利要求1所述的电容元件，其中接触部分通过连接到所述第二电极而形成在所述第二电极上。

7.一种制造电容元件的方法，该方法包括步骤：

在半导体基板中形成分开有源区域的元件隔离区域；

离子注入杂质到所述有源区域中，从而形成由扩散层形成的第一电极；

在所述第一电极上形成绝缘层；以及

在所述第一电极的平坦表面上且在所述绝缘层上方形成第二电极，其中在平面布局中，所述第二电极形成在所述有源区域内且在所述第一电极内。

8.一种制造电容元件的方法，该方法包括步骤：

离子注入杂质到半导体基板的将成为有源区域的区域中，从而形成由扩散层形成的第一电极；

在所述半导体基板中形成分开所述有源区域的元件隔离沟槽；

在所述元件隔离沟槽中嵌入绝缘膜以形成元件隔离区域；

在所述第一电极上形成绝缘层；以及

在所述绝缘层上形成第二电极，

所述元件隔离沟槽通过部分去除所述第一电极的外围部分以及所述半导体基板的围绕所述第一电极的所述外围部分的部分而形成。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在平面布局中，所述第二电极形成在所述有源区域内且在所述第一电极内。

10.一种固态成像器件，包括：

像素部分，包括光电转换器，该光电转换器通过入射光的光电转换而产生信号电荷；

列处理器，包括多个列AD电路，该多个列AD电路的每个包括比较从所述像素部分输出的信号电荷与用于AD转换的参考电压的比较器；以及

电容元件，提供在所述像素部分的输出侧与所述比较器之间，所述电容元件滤除DC成分，其中所述电容元件包括：有源区域，由形成在半导体基板中的元件隔离区域分开；在所述有源区域中由扩散层形成的第一电极；绝缘层，形成在所述第一电极上；以及第二电极，经由所述绝缘层形成在所述第一电极的平坦表面上，其中在平面布局中，所述第二电极形成在所述有源区域内且在所述第一电极内。

11.一种成像装置，包括：

聚光光学部分，聚集入射光；

传感部分，包括固态成像器件，该固态成像器件接收由所述聚光光学部分聚集的光且使所述光经历光电转换；以及

信号处理器，处理在所述固态成像器件中经历光电转换的信号，

所述固态成像器件包括：

像素部分，包括光电转换器，该光电转换器通过入射光的光电转换而产生信号电荷；

列处理器，包括多个列AD电路，该多个列AD电路的每个包括比较从所述像素部分输出的信号电荷与用于AD转换的参考电压的比较器；以及

电容元件，提供在所述像素部分的输出侧与所述比较器之间，所述电容元件滤除DC成分，其中所述电容元件包括：有源区域，由形成在半导体基板中的元件隔离区域分开；在所述有源区域中由扩散层形成的第一电极；绝缘层，形成在所述第一电极上；以及第二电极，经由所述绝缘层形成在所述第一电极的平坦表面上，其中在平面布局中，所述第二电极形成在所述有源区域内且在所述第一电极内。