[发明专利]固体摄像器件和摄像装置有效
申请号: | 201010145527.5 | 申请日: | 2010-04-13 |
公开(公告)号: | CN101872774A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 佐藤公彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 装置 | ||
相关申请的交叉参考
本申请包含与2009年4月21日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-103176的公开内容相关的主题,在此将日本优先权申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及包括布线部的固体摄像器件和摄像装置,所述布线部形成在布置有多个光电转换单元的光接收单元中。
背景技术
JP-A-2003-273342(专利文件1)和JP-A-2003-264281(专利文件2)公开了固体摄像器件。
在固体摄像器件中,多个光电转换单元二维地布置在半导体基板的光接收单元中。
多个布线部形成在半导体基板的光接收单元上,沿光电转换单元的预定布置方向延伸。
布线部包括层叠的多层布线体。
通过光学单元聚集的拍摄物等的光聚集到固体摄像器件的光接收单元上。
因此,在专利文件1中,在光接收单元周边部的布线部中,多个布线体重叠并向光接收单元的中心偏移。
这样,从倾斜方向入射到光接收单元的周边部中的光电转换单元上的光不易被多个布线体挡住。
在专利文件2中,多个布线体重叠并且彼此偏移,在一个光电转换单元的两侧上的两组布线体形成的轮廓边缘形成为倒锥形状。
因此,聚集在光电转换单元上的光不易被多个布线体挡住。
然而,当多个布线体形成一个布线部时,将用于形成过孔接触部的连接导体连接到各布线体上,并且必须通过过孔接触部电连接上下重叠的连接导体。
为了得到如专利文件1或专利文件2所述的预定重叠位置,逐渐偏移多个布线体时,对于连接导体,需要确保对应于多个连接导体各自偏移量的偏移裕度。
因此,在专利文件1或专利文件2中,与多个布线体连接的多个连接导体具有包括扩展区域的较大尺寸。结果,由布线体和连接导体形成的各布线图形的宽度较大。
在专利文件1或专利文件2中,由于各布线图形的宽度较大,因而靠近一个光电转换单元两侧的两个布线图形之间的开口的宽度很窄。
结果,如专利文件1或专利文件2所述,当层叠的多个布线体逐渐偏移时,穿过两个布线图形之间的光量减少,从而引起光电转换单元的实际灵敏度劣化。
由于各布线图形的较大宽度使开口的宽度很窄时,入射光对角度的依赖性增大。
因此,当光的入射角仅略微偏移时,光电转换单元的实际灵敏度却显著变化。
发明内容
鉴于上述问题,在固体摄像器件和摄像装置中需要提高光电转换单元的实际灵敏度。
本发明第一实施例提供了一种固体摄像器件,所述固体摄像器件包括:半导体基板;多个光电转换单元,所述多个光电转换单元以阵列形式形成在所述半导体基板上并且在所述半导体基板上形成光接收单元;以及多个布线部,所述多个布线部形成在所述光接收单元上的多个光电转换单元之间的位置。所述多个布线部的每一个包括多个布线体,所述多个布线体分别通过在所述半导体基板的所述光接收单元上叠加所述多个布线层形成,并且包括在所述半导体基板侧的下布线体、在最上侧的上布线体以及在所述下布线体和所述上布线体之间的中间布线体;和多个接触部,所述多个接触部按照垂直重叠的次序连接所述多个布线体。在所述多个布线部的至少一个中,除了所述下布线体之外的所述布线体叠加并且偏离所述下布线体的正上方的位置。所述中间布线体的偏移量和连接到所述中间布线体的所述多个接触部的偏移量是相同的。
本发明的第二实施例提供一种摄像装置,所述摄像装置包括:光学单元,所述光学单元聚集光;以及固体摄像器件,所述固体摄像器件接收由所述光学单元聚集的光。所述固体摄像器件包括:半导体基板;多个光电转换单元,所述多个光电转换单元以阵列形式形成在所述半导体基板上并且在所述半导体基板上形成光接收单元;以及多个布线部,所述多个布线部形成在所述光接收单元上的多个光电转换单元之间的位置。所述多个布线部的每一个包括多个布线体,所述多个布线体分别通过在所述半导体基板的所述光接收单元上叠加所述多个布线层形成,并且包括在所述半导体基板侧的下布线体、在最上侧的上布线体以及在所述下布线体和所述上布线体之间的中间布线体;和多个接触部,所述多个接触部按照垂直重叠的次序连接所述多个布线体。在所述多个布线部的至少一个中,除了所述下布线体之外的所述布线体叠加并且偏离所述下布线体的正上方的位置。所述中间布线体的偏移量和连接到所述中间布线体的所述多个接触部的偏移量是相同的。
在第一实施例中,所述中间布线体的偏移量和所述多个接触部的偏移量是相同的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的