[发明专利]照明装置的制造装置及制造方法有效
申请号: | 201010145558.0 | 申请日: | 2010-03-18 |
公开(公告)号: | CN101841006A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;徐予红 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 照明 装置 制造 方法 | ||
1.一种照明装置的制造装置,包括:
真空室;
用于使所述真空室处于减压状态的排气系统;以及
将衬底传送到所述真空室的传送室,
其中,所述真空室包括:
在所述衬底上形成第一电极的成膜室;
在所述第一电极上形成至少具有发光层的第一发光单元的成膜室;
在所述第一发光单元上形成中间层的成膜室;
在所述中间层上形成至少具有发光层的第二发光单元的成膜室;
在所述第二发光单元上形成第二电极的成膜室;
在设有所述第二电极的所述衬底上形成密封膜的成膜室;以及
用于将所述衬底依次传送到各成膜室的衬底传送部件。
2.根据权利要求1所述的照明装置的制造装置,其中所述真空室还包括形成干燥剂层的成膜室。
3.一种照明装置的制造装置,包括:
真空室;
用于使所述真空室处于减压状态的排气系统;以及
将衬底传送到所述真空室的传送室,
其中,所述真空室包括:
在所述衬底上形成第一电极的成膜室;
在所述第一电极上形成至少具有发光层的第一发光单元的成膜室;
在所述第一发光单元上形成中间层的成膜室;
在所述中间层上形成至少具有发光层的第二发光单元的成膜室;
在所述第二发光单元上形成第二电极的成膜室;
使用密封构件密封设有所述第二电极的所述衬底的密封室;以及
用于将所述衬底依次传送到各成膜室及所述密封室的衬底传送部件。
4.根据权利要求3所述的照明装置的制造装置,其中所述真空室还包括形成干燥剂层的成膜室。
5.一种照明装置的制造装置,包括:
真空室;
用于使所述真空室处于减压状态的排气系统;
将衬底传送到所述真空室的传送室;以及
与所述真空室通过闸阀连接的密封室,
其中,所述真空室包括:
在所述衬底上形成第一电极的成膜室;
在所述第一电极上形成至少具有发光层的第一发光单元的成膜室;
在所述第一发光单元上形成中间层的成膜室;
在所述中间层上形成至少具有发光层的第二发光单元的成膜室;
在所述第二发光单元上形成第二电极的成膜室;以及
用于将所述衬底依次传送到各成膜室的衬底传送部件,
其中,在所述密封室中使用密封构件密封从所述真空室传送的衬底。
6.根据权利要求5所述的照明装置的制造装置,其中所述真空室还包括形成干燥剂层的成膜室。
7.一种照明装置的制造方法,包括如下步骤:
将衬底传送到真空室内;以及
在设置在所述真空室内的多个成膜室中,在所述衬底上连续形成包括第一电极、第一发光单元、中间层、第二发光单元和第二电极的发光元件以及密封所述发光元件的密封膜。
8.根据权利要求7所述的照明装置的制造方法,其中作为所述衬底使用圆形的衬底。
9.根据权利要求7所述的照明装置的制造方法,其中所述衬底在中央部分具有开口部。
10.一种照明装置的制造方法,包括如下步骤:
将衬底传送到真空室内;
在设置在所述真空室内的多个成膜室中,在所述衬底上形成包括第一电极、第一发光单元、中间层、第二发光单元和第二电极的发光元件;
将设有所述发光元件的所述衬底传送到设置在所述真空室内的密封室,以及
在所述密封室中使用密封构件密封所述衬底。
11.根据权利要求10所述的照明装置的制造方法,其中作为所述衬底使用圆形的衬底。
12.根据权利要求10所述的照明装置的制造方法,其中所述衬底在中央部分具有开口部。
13.一种照明装置的制造方法,包括如下步骤:
将衬底传送到真空室内;
在设置在所述真空室内的多个成膜室中,在所述衬底上形成包括第一电极、第一发光单元、中间层、第二发光单元和第二电极的发光元件;
将设有所述发光元件的所述衬底传送到与所述真空室通过闸阀连接的密封室;
在所述密封室中使用密封构件密封所述衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择