[发明专利]绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺

权利要求书

1.一种绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺，包括：a、在半导体衬底(1)上面设置有埋氧化层(2)，在埋氧化层(2)上设有N型顶层单晶硅(3)，在N型顶层单晶硅(3)上生成表面氧化层(41)，在表面氧化层(41)表面涂覆光刻胶(42)，在光刻胶(42)上刻蚀出深硅槽尺寸大小的窗口并裸露出表面氧化层(41)；b、腐蚀裸露出的表面氧化层(41)并露出要刻蚀的N型顶层单晶硅(3)；其特征在于，

c、利用表面氧化层(41)作为刻蚀N型顶层单晶硅(3)的掩蔽层，采用各向异性等离子干法刻蚀工艺，刻蚀出纵横比为7∶1.2至7∶3的深硅槽；紧接着完全腐蚀掉表面氧化层(41)，同时腐蚀埋氧化层(2)，使深硅槽的底部位置的下移深度为埋氧化层(2)的厚度的15％-25％；

d、采用湿氧法在深硅槽的侧壁上生长隔离氧化层(5)；

e、采用无掺杂的多晶硅(6)来进行填充深硅槽。

2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅深硅槽的制备工艺，其特征在于所述作为刻蚀掩蔽层的表面氧化层(41)厚度小于埋氧化层(2)厚度的15％。