[发明专利]半导体晶圆及图案对准方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆，其特征在于，包含：

一曝光场；

一晶粒，位于该曝光场内，其中该晶粒包含一集成电路区、一密封环区以及一角落应力解除区；以及

一晶粒对准标记，位于该密封环区与该角落应力解除区之间。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，还包含：

一切割线，定义出该曝光场的边缘；以及

一曝光场对准标记，位于定义出该曝光场的边缘的该切割线内。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，该晶粒对准标记包含一箱状图样叠对的对准图案。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，该晶粒对准标记包含至少一上方标记。

5.根据权利要求4所述的半导体晶圆，其特征在于，该上方对准标记形成在一主动层、一多晶系层、及/或一接触层中。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，该晶粒对准标记与该密封环区相隔一第一距离，且与该角落应力解除区相隔一第二距离。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其特征在于，该晶粒对准标记包含一第一对准标记与一第二对准标记。

8.一种半导体晶圆，其特征在于，包含：

多个曝光场；

多个晶粒，位于每一该些曝光场内；

多个切割线，定义出每一曝光场与每一晶粒；

每一该些曝光场的一曝光场对准标记；以及

每一该些晶粒的一晶粒对准标记。

9.根据权利要求8所述的半导体晶圆，其特征在于，该曝光场对准标记位于定义每一该些曝光场的该些切割线中。

10.根据权利要求8所述的半导体晶圆，其特征在于，该晶粒对准标记位于每一该些晶粒的一角落部分。

11.一种图案对准方法，其特征在于，包含：

提供一半导体晶圆；

在该半导体晶圆上定义一场，其中该场的一边缘为一切割线所定义出；

在该场内定义出一晶粒，其中该晶粒的一边缘为该切割线所定义出；

形成一对准标记在定义该场的该边缘的该切割线内；以及

形成另一对准标记在该晶粒的一角落部分。

12.根据权利要求11所述的图案对准方法，其特征在于，形成该对准标记与该另一对准标记包含利用一箱状图样叠对的对准图案。

13.根据权利要求11所述的图案对准方法，其特征在于，形成该另一对准标记于该晶粒的该角落部分中的步骤包含：

形成一密封环于该晶粒中；

形成一角落应力解除区于该晶粒中；

形成该另一对准标记介于该密封环与该角落应力解除区之间。

14.根据权利要求11所述的图案对准方法，其特征在于，形成该另一对准标记于该晶粒的该角落部分中的步骤包含形成一上方标记于一主动层、一多晶系层、及/或一接触层中。

15.根据权利要求11所述的图案对准方法，其特征在于，还包含：

进行一图案辨识技术，以对准一光罩与该对准标记和该另一对准标记；以及

曝光该半导体晶圆，以形成一集成电路区。