[发明专利]包含氢卤酸的抑制钯活性的溶液及防止镀层缺陷的方法无效
| 申请号： | 201010148361.2 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102086516A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 权赫辰;南孝昇;金兑浩;金宗植;徐正旭 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | C23C18/18 | 分类号： | C23C18/18;C23C18/42;C23C18/32;H05K3/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 氢卤酸 抑制 活性 溶液 防止 镀层 缺陷 方法 | ||
1.一种包含0.1至10mol的氢卤酸水溶液作为预处理溶液的用于抑制钯活性的溶液，所述溶液在印刷电路板的化学金属镀中在钯催化剂处理以后和在ENIG(化学镀镍浸金)镀或ENEPIG(化学镀镍钯浸金)镀以前使用，以防止坏镀层。
2.根据权利要求1所述的溶液，其中，所述氢卤酸水溶液的浓度是0.5至5mol。
3.根据权利要求1所述的溶液，其中，所述氢卤酸选自由HF、HCl、HBr以及HI组成的组。
4.根据权利要求1所述的溶液，其中，所述氢卤酸的卤素离子与被钝化的板表面上的钯形成复合物，从而防止镀层扩展。
5.根据权利要求1所述的溶液，进一步包含氰基化合物。
6.根据权利要求5所述的溶液，其中，所述氰基化合物是选自由KCN和NaCN组成的组中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的溶液，其中，所述氰基化合物的浓度是10至200ppm。
8.根据权利要求1所述的溶液，进一步包含胺化合物。
9.根据权利要求8所述的溶液，其中，所述胺化合物是选自由乙醇胺化合物和二乙醇胺化合物组成的组中的至少一种。
10.一种用于在印刷电路板的化学金属镀中防止坏镀层的方法，包括：
油脂去除和蚀刻板；
在经油脂去除和蚀刻的所述板上用钯催化剂进行处理；
将经钯催化剂处理的所述板浸入到包含0.1至10mol的氢卤酸水溶液的用于抑制钯活性的溶液中；以及在经浸入处理的所述板上进行ENIG镀或ENEPIG镀。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述氢卤酸水溶液的浓度是0.5至5mol。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述浸入进行1至10分钟。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述氢卤酸选自由HF、HCl、HBr以及HI组成的组。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述氢卤酸的卤素离子与被钝化的板表面上的钯形成复合物以防止镀层扩展。
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C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
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C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
