[发明专利]包含氢卤酸的抑制钯活性的溶液及防止镀层缺陷的方法

说明书

相关专利申请的引用

本申请要求于2009年12月4日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2009-0120072号的权益，将其披露的全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种包含氢卤酸水溶液作为预处理溶液的用于抑制钯活性以在印刷电路板的ENIG镀或ENEPIG镀以前防止坏镀层(电镀，plating)的溶液、以及通过利用该溶液来防止坏镀层的方法。

背景技术

已经进行了开发以在ENIG(化学镀镍浸金(化学镍金，Electroless Nickel Immersion Gold))或ENEPIG(化学镀镍钯浸金(化学镍钯金，Electroless Nickel Electroless Palladium ImmersionGold))镀以后，当镀层沉淀物(沉积物)如Ni、Pd、以及Au等被沉积和镀在板的表面上时，减少或消除由电桥或短路问题或镀层扩展(电镀扩展，plating spreading)所引起的图案之间的连接现象，因为印刷电路板的导线之间的间隙变得更细。

为了改善镀层扩展，在钯催化剂处理以后，已使用了Ni(CN)₂。然而，它引起未电镀部分(Ni跳跃缺陷)和镀层扩展，其取决于处理条件。

另外，上述氰基化合物是有毒的和环境不友好的材料，使得它们在应用方面可能受到限制，并且可能最终需要取代它们。

因为PCB的导线间隔变得越来越窄，所以需要很多努力来将镀层或镀层扩展的缺陷降低到最小。

发明内容

本发明的发明人已经完成了本发明，其中通过提供一种用于在具有精细图案的PCB的表面处理期间将由镀层扩展引起的图案之间的短路缺陷降低至最小的方法。

本发明的一个方面的特点在于一种可以将坏镀层降低到最小的PCB的表面处理溶液。

根据一个方面，提供了一种包含0.1至10mol的氢卤酸水溶液作为预处理溶液的用于抑制钯活性的溶液，其可以在印刷电路板的化学金属镀(无电金属镀，electroless metal plating)中在钯催化剂处理以后和在ENIG(化学镀镍浸金)镀或ENEPIG(化学镀镍钯浸金)镀以前进行，以防止坏镀层。

根据一种实施方式，氢卤酸水溶液的浓度可以是0.5至5mol。

根据一种实施方式，抑制钯活性的溶液可以进一步包含氰基化合物。

根据一种实施方式，氰基化合物可以是选自KCN和NaCN中的至少一种。

根据一种实施方式，氰基化合物的浓度可以是10至200ppm。

根据一种实施方式，用于抑制钯活性的溶液可以进一步包含胺化合物。

根据一种实施方式，胺化合物可以是选自乙醇胺化合物和二乙醇胺化合物中的至少一种。

根据另一个方面，提供了一种用于防止坏镀层的方法，该方法包括：油脂(润滑脂)去除和蚀刻板；在经油脂去除和蚀刻的板上用钯催化剂进行预处理；将经钯催化剂处理的板浸入到包含0.1至10mol的氢卤酸水溶液的用于抑制钯活性的溶液中；以及在经浸入处理的板上进行ENIG镀或ENEPIG镀。

根据一种实施方式，浸入可以进行1至10分钟。

根据一种实施方式，氢卤酸可以选自HF、HCl、HBr以及HI。

根据一种实施方式，用于防止坏镀层的方法可以通过在氢卤酸的卤素离子与保留在板表面上的钯之间形成复合物而阻碍镀层材料的扩散现象。

根据一种实施方式，用于防止坏镀层的方法可以在板的表面处理期间将由镀层扩展所引起的图案之间的短路缺陷降低到最小。

附图说明

图1示出了说明在具有精细图案的印刷电路板的表面处理期间通过钝化钯活性而使镀层扩展降低到最小的板。

图2示出了根据比较例1的电镀的板，只是没有钯活性的抑制过程。

图3是根据实施例1的电镀的板，其中实施例1包括用钯催化剂处理、将板浸入到HCl水溶液中5分钟、以及进行化学镀镍。

具体实施方式

在下文中更详细地描述本发明。

当使用半加成法(semi additive process)来制造板时，穿过板的孔通过钻孔来制成，然后在板的表面上使用离子化形式的钯催化剂来进行化学镀(chemical plating)。这里的钯催化剂是这样的钯催化剂，其被还原成金属，并且甚至在借助于蚀刻形成线条以后也分散在板的表面上。因此，它可以在无电表面处理期间引起镀层扩展。