[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201010150094.2 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN101866946A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 高桥彻雄;大月高实 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;徐予红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其中包括：
半导体衬底，该半导体衬底具有主表面且在所述主表面具有元件形成区域；
保护环，在俯视图中该保护环以包围所述元件形成区域周围的方式形成在所述半导体衬底的所述主表面；
保护环电极，形成在所述半导体衬底的所述主表面上且与所述保护环电连接；
沟道截断区域，在俯视图中该沟道截断区域形成为在所述半导体衬底的所述主表面位于所述保护环的外周侧；
沟道截断电极，形成在所述半导体衬底的所述主表面上且与所述沟道截断区域电连接；以及
场电极，以绝缘状态配置在所述半导体衬底上，
所述场电极包含位于所述半导体衬底的所述主表面与所述保护环电极之间的第一部分和位于所述半导体衬底的所述主表面与所述沟道截断电极之间的第二部分，
所述第一部分在俯视图中具有与所述保护环电极重叠的部分，
所述第二部分在俯视图中与具有所述沟道截断电极重叠的部分。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述场电极包含所述第一部分及所述第二部分以外的第三部分，
所述第三部分在俯视图中具有与所述第一部分及所述第二部分的至少任一部分重叠的部分。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述场电极的所述第三部分与所述保护环电极及所述沟道截断电极属于相同的层。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述场电极的所述第三部分形成在比所述保护环电极及所述沟道截断电极更下方的层。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述场电极包含所述第一部分及所述第二部分以外的第三部分，
所述第一部分、所述第二部分及所述第三部分沿着所述主表面延伸的方向排列。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述场电极包含下层电极和接触于所述下层电极上地配置的上层埋入电极。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述场电极与所述保护环电极电容耦合，且与所述沟道截断电极电容耦合。
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