[发明专利]在硅片上复合In2O3箭状纳米结构的半导体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种在硅片上复合In₂O₃箭状纳米结构的半导体材料，其特征在于，包括硅片衬底，和生长在所述衬底表面的In₂O₃晶体，所述In₂O₃晶体为箭状纳米结构。

2.根据权利要求2所述的在硅片上复合In₂O₃箭状纳米结构的半导体材料，其特征在于，所述In₂O₃晶体长度为5～15μm，顶端为多面体结构，底部为棒状结构，棒状结构具有四个面，并从顶端到底端逐渐变细，10～30个箭状纳米结构底部聚在一起形成一个花束状结构。

3.制备如权利要求1、2或3所述半导体材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、将In颗粒作为源放到石英舟里，把清洗后的硅片盖在石英舟的上面，硅片与源的垂直距离为4～10mm；

b、把石英舟放到预先加热至700～1000℃的水平放置的管式生长炉的中部；

c、通入惰性气体Ar作为载气，在大气压强下反应，得到产物。

4.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤a中所述In颗粒的纯度为99.999％。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤c中所述通入的惰性气体Ar的流量为0.2～0.6L/min；所述在大气压强下的反应时间为120～360min。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述水平放置的管式生长炉是由两根半径不同的管组成的，大的氧化铝管长度为70～100cm，直径为6～10cm；小的石英管长度为50～80cm，直径为3～5cm。