[发明专利]一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201010152549.4 | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101805201A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 杨阳;赵宏生;刘中国;张凯红 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/565;C04B35/645 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 童晓琳 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抗热 多孔 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于以已有包混工艺制备的硅-树脂核壳结构先驱体粉体为原料，并在上述原料中加入氧化铝、二氧化硅和氧化钇作为添加剂，经粉体混合、压力成型、炭化处理及烧结四个步骤处理后，得到高抗热震性多孔碳化硅陶瓷，其中，先驱体粉体、氧化铝、二氧化硅、氧化钇的质量比范围为100∶(0.5～10)∶(0.1～5)∶(0.1～5)。
2.根据权利要求1所述的高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于粉体混合方法为手动或机械的搅拌、球磨或摇晃使其均匀。
3.根据权利要求1所述的高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于粉体混合时间为5分钟～24小时。
4.根据权利要求1所述的高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于压力成型工艺条件如下：混合粉体经压力成型的生坯成型温度为50～140℃，成形压力为0.5～50MPa，保温时间为20～120min。
5.根据权利要求1所述的高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于炭化处理工艺条件如下：炭化温度为600～1000℃，升温速率为0.3～3℃/min，；氩气流量为5～200ml/min，保温时间为1～4h。
6.根据权利要求1所述的高抗热震性多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于烧结在氩气气氛或真空中进行，气压：0～20MPa，升温速率：1-20℃/min，烧结温度：1200～1800℃，保温时间：1～4小时。
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