[发明专利]一种LaNi5薄膜的制备方法及其应用无效
| 申请号： | 201010152950.8 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102220560A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陈侃松;刘华容;顾豪爽;刘俊峰;谢鲲 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430062 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 lani sub 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种LaNi5薄膜的制备方法，其特点在于，步骤是首先在Si衬底上制备一层Ni膜，作为缓冲层；然后在缓冲层Ni膜上用磁控射频溅射法制备LaNi5薄膜。
2.按权利要求1所述的一种LaNi5薄膜的制备方法，其特点在于所述的衬底是Si(100)，Ni(011)膜作为缓冲层，且Ni膜厚度为450nm。
3.按权利要求1所述的一种LaNi5薄膜的制备方法，其特征在于沉积LaNi5薄膜的靶是以纯度为99.9％的La靶与纯度为99.95％的扇形Ni片组成的扇形靶。
4.按权利要求1所述的一种LaNi5薄膜的制备方法，其特征在于沉积功率120W-200W，沉积温度350℃-500℃，靶基距3.5cm，沉积气压0.6Pa，沉积时间为20min，制得的LaNi5薄膜厚度大约为1μm。
5.按权利要求1所述的一种LaNi5薄膜的制备方法，其特征在于通过调整沉积功率(在120W-200W内)可实现LaNi5薄膜的择优生长。功率为150W时沿(111)取向择优生长，功率为200W时沿(101)取向择优生长。
6.一种氢敏材料LaNi5薄膜的应用，其特点在于：将以上任一方法制备的LaNi5薄膜经表面处理后应用于氢敏传感器元件。
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