[发明专利]振膜和包括该振膜的硅电容麦克风

说明书

技术领域

本发明涉及一种振膜及包括该振膜的硅电容麦克风。

背景技术

随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。

而目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，简称MEMS)，相关技术中，硅电容麦克风包括基底、背板和振膜。其中，振膜是硅电容麦克风的重要部件，其一般结构为振膜包括振动部和与振动部相连的支撑部，支撑部的截面为矩形。这种结构层应力对振膜产生的应力梯度无法释放，振膜的屈曲强度低，工艺的挑战度高。因此，有必要提供一种新型的振膜。

发明内容

本发明需解决的技术问题是提供一种能够减少其他结构层高应力对薄膜产生的应力梯度的振膜。

根据上述需解决的技术问题，设计了一种振膜，其包括振动部和与振动部相连的支撑部，该支撑部自振动部的外周向远离振膜中心方向延伸，支撑部设有第一表面、与第一表面相对的第二表面和将第一表面与第二表面连接的侧壁，该侧壁包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁，第一侧壁和第二侧壁分别垂直于振动部和支撑部连接面，所述支撑部包括设有第一开口的第一凹槽和设有第二开口的第二凹槽，所述第一凹槽自第二侧壁向第一侧壁延伸，第一开口设在第一侧壁，第二凹槽自第一侧壁向第二侧壁延伸，第二开口设在第二侧壁，且第一侧壁与第二侧壁交错相对设置。

优选的，所述第一凹槽或第二凹槽为贯穿第一表面和第二表面的通槽。

优选的，所述第一凹槽或第二凹槽的深度是第一表面到第二表面之间距离的一半。

优选的，所述第一凹槽和第二凹槽为贯穿第一表面和第二表面的通槽。

优选的，所述第一凹槽和第二凹槽的深度是第一表面到第二表面之间距离的一半。

优选的，所述第一凹槽垂直于第一侧壁，所述第二凹槽垂至于第二侧壁。

本发明还提供了一种振膜，包括振动部和与该振动部相连的支撑部，支撑部包括若干侧壁和若干横梁，横梁平行于振动部与支撑部的连接面，侧壁垂至于振动部与支撑部的连接面，相邻的横梁之间通过侧壁相连，相邻的侧壁之间通过横梁相连，且相邻的侧壁交错相对设置。

本发明还提供了一种硅电容麦克风，该硅电容麦克风包括如上所述的振膜。

本发明的有益效果在于：减少其他结构层高应力对薄膜产生的应力梯度，做到释放应力；减小薄膜刚性，显著提高灵敏度；提高了薄膜的屈曲强度，使得对工艺的挑战性降低，提高成品率和可靠性；优化了振膜阻尼，提高了声学性能。

附图说明

图1是本发明提供的振膜第一个实施例的立体示意图；

图2是本发明提供的振膜第二个实施例的立体示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。

本发明提供的振膜用于微型电子器件中，如硅电容麦克风、扬声器、受话器等。硅电容麦克风主要用于手机等电子设备中，用于接收声音。

参见图1，本发明提供的第一个实施例。本发明提供的振膜1，包括振动部11和与振动部11相连的支撑部12，该支撑部12自振动部11的外周向远离振膜1中心方向延伸。

支撑部12设有第一表面121、与第一表面121相对的第二表面122和将第一表面121与第二表面122连接的侧壁123。该侧壁123包括第一侧壁1231和与第一侧壁1231交错相对设置的第二侧壁1232。

第一侧壁1231和第二侧壁1232分别垂直于振动部11和支撑部12连接面。

支撑部12包括设有第一开口141的第一凹槽14和设有第二开口151的第二凹槽15。第一凹槽14自第一侧壁1231向第二侧壁1232延伸，第一开口141设在第二侧壁1242，第二凹槽15自第二侧壁1232向第一侧壁1241延伸，第二开口151设在第一侧壁1231，且第一侧壁1231与第二侧壁1242交错相对设置。

第一凹槽14或第二凹槽15为贯穿第一表面1231和第二表面1232的通槽。

当然，第一凹槽14或第二凹槽15中的任何一个也可以不是贯穿第一表面1231到第二表面1232之间距离的一半。

也可以是第一凹槽14和第二凹槽15为贯穿第一表面1231和第二表面1232的通槽。同样的，第一凹槽14和第二凹槽15也可以都不是贯穿第一表面1231到第二表面1232之间距离的一半。