[发明专利]差动偏移校正电路无效
申请号: | 201010154395.2 | 申请日: | 2010-04-08 |
公开(公告)号: | CN102215032A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 易秉威;张浩彰 | 申请(专利权)人: | 凌阳科技股份有限公司 |
主分类号: | H03H21/00 | 分类号: | H03H21/00 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 差动 偏移 校正 电路 | ||
1.一种差动偏移校正电路,适用于自适应滤波器,该自适应滤波器具有输入级与输出级,该输出级耦接于该输入级并具有第一输出端与第二输出端,该差动偏移校正电路包括:
第一可控制电流源,耦接于电压源与该第一输出端之间;
第二可控制电流源,耦接于该第一输出端与接地端之间;
第三可控制电流源,耦接于该电压源与该第二输出端之间;以及
第四可控制电流源,耦接于该第二输出端与该接地端之间。
2.根据权利要求1所述的差动偏移校正电路,其中当该第一可控制电流源与该第四可控制电流源启用时,该第二可控制电流源与该第三可控制电流源禁用。
3.根据权利要求1所述的差动偏移校正电路,其中当该第二可控制电流源与该第三可控制电流源启用时,该第一可控制电流源与该第四可控制电流源禁用。
4.根据权利要求1所述的差动偏移校正电路,其中该输入级包括:
第一P型晶体管,该第一P型晶体管的源极耦接于电压源,该第一P型晶体管的漏极耦接于该第一P型晶体管的栅极与第一N型晶体管的漏极,该第一N型晶体管的源极耦接于第五电流源的一端,该第五电流源的另一端耦接于接地端;
第二P型晶体管,该第二P型晶体管的源极耦接于该电压源,该第二P型晶体管的漏极耦接于该第二P型晶体管的栅极与第二N型晶体管的漏极,该第二N型晶体管的源极耦接于第六电流源的一端,该第六电流源的另一端耦接于该接地端;以及
频率补偿单元,耦接于该第一N型晶体管的源极与该第二N型晶体管的源极之间;
其中,该第一N型晶体管的栅极与该第二N型晶体管的栅极用以接收输入信号。
5.根据权利要求4所述的差动偏移校正电路,其中该输出级包括:
第一输出单元,具有该第一输出端,该第一输出单元包括:
第一映射单元,包括多个第三P型晶体管,所述第三P型晶体管并联耦接该电压源与该第一输出端之间,且各该第三P型晶体管的栅极选择性耦接于该第一P型晶体管的栅极或该电压源;以及
第一增益控制单元,包括多个第三N型晶体管,所述第三N型晶体管并联耦接于该第一输出端与该接地端之间,且各该第三N型晶体管的栅极选择性耦接于偏压电压或该接地端;以及第二输出单元,具有该第二输出端,该第二输出单元包括:
第二映射单元,包括多个第四P型晶体管,所述第四P型晶体管并联耦接该电压源与该第二输出端之间,且各该第四P型晶体管的栅极选择性耦接于该第二P型晶体管的栅极或该电压源;以及
第二增益控制单元,包括多个第四N型晶体管,所述第四N型晶体管并联耦接于该第二输出端与该接地端之间,且各该第四N型晶体管的栅极选择性耦接于该偏压电压或该接地端。
6.根据权利要求5所述的差动偏移校正电路,其中该第一输出单元还包括:
第一切换元件,耦接于所述第三P型晶体管之一的栅极、该第一P型晶体管的栅极与该电压源之间,并根据增益信号选择性将所对应的所述第三P型晶体管之一的栅极导通至该第一P型晶体管的栅极或该电压源;
第二切换元件,耦接于所述第三N型晶体管之一的栅极、该偏压电压与该接地端之间,并根据该增益信号选择性将所对应的所述第三N型晶体管之一的栅极导通至该偏压电压或该接地端;
第三切换元件,耦接于所述第四P型晶体管之一的栅极、该第二P型晶体管的栅极与该电压源之间,并根据该增益信号选择性将所对应的所述第四P型晶体管之一的栅极导通至该第二P型晶体管的栅极或该电压源;以及
第四切换元件,耦接于所述第四N型晶体管之一的栅极、该偏压电压与该接地端之间,并根据该增益信号选择性将所对应的所述第四N型晶体管之一的栅极导通至该偏压电压或该接地端。
7.根据权利要求1所述的差动偏移校正电路,其中该第一可控制电流源至该第四可控制电流源分别包括多个并联的子电流源,且各该可控制电流源中的所述子电流源所导通的电流量依序以2的幂次方倍数增加。
8.根据权利要求1所述的差动偏移校正电路,其中各该可控制电流源分别根据设定值调整所导通的电流量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凌阳科技股份有限公司,未经凌阳科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010154395.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制备T细胞的体系和方法
- 下一篇:幅丝感测器测试装置及方法