[发明专利]一种双镶嵌结构的形成方法有效
| 申请号： | 201010154726.2 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222639A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 韩宝东;张海洋;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镶嵌 结构 形成 方法 | ||
1.一种双镶嵌结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有介质层，对所述介质层进行刻蚀，形成露出衬底表面的通孔；
对位于通孔间的介质层进行刻蚀，以形成沟槽，所述沟槽用于连接相邻的通孔；
对所述通孔间的介质层进行修复刻蚀，使其具有光滑的表面，所述刻蚀气体中包含有碳氟比例大于等于1∶2的气体。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述碳氟比例大于等于1∶2的气体为C4F8或C5F8。
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀气体为C4F8和O2，其中，所述C4F8流量为10SCCM至50SCCM，O2流量为100SCCM至500SCCM。
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀时间为10秒至60秒。
5.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀的腔体压力为20毫托至40毫托，功率为200瓦至800瓦。
6.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀气体为C5F8和O2，其中，所述C5F8流量为10SCCM至50SCCM，O2流量为100SCCM至500SCCM。
7.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀时间为10秒至100秒。
8.根据权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀的腔体压力为40毫托至100毫托，功率为200瓦至1000瓦。
9.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述沟槽刻蚀的具体工艺为等离子体刻蚀，所述刻蚀气体包括有CF4和Ar。
10.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述CF4流量为100SCCM至500SCCM，Ar流量为200SCCM至500SCCM。
11.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀时间为10秒至60秒。
12.根据权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀的腔体压力为50毫托至100毫托，功率为300瓦至1000瓦。
13.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括对所述通孔及沟槽填充导电材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
