[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一半导体基板，具有一第一导电性；

一耗尽区，位于该半导体基板内；

一深阱区，大体为该耗尽区所包覆，其中该深阱区具有相反于该第一导电性的一第二导电性，且该耗尽区包括直接位于该深阱区上的一第一部与直接位于该深阱区下的一第二部；以及

一传输线，直接位于该耗尽区上。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该深阱区为n型，而该半导体基板的一部直接位于该深阱区上而该半导体基板的另一部直接位于该深阱区下。

3.如权利要求2所述的集成电路结构，还包括连结于该深阱区的一电压源，其中该电压源用于供应一正电压至该深阱区。

4.如权利要求3所述的集成电路结构，其中该正电压为一核心电路的一正电源供应电压或一输出/输入电路的一正电源供应电压。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该传输线包括一信号线。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括一遮蔽金属垂直地位于该传输线与该半导体基板之间。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该耗尽区具有不小于该传输线区域的一区域。

8.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该深阱区包括多个相互平行的深阱区指状物。

9.一种集成电路结构，包括：

一半导体基板，具有一第一导电性；

一深阱区，位于该半导体基板内且具有低于该半导体基板的一顶面的一顶面，其中该深阱区具有相反于该第一导电性的一第二导电性；

一电压源，耦接于该深阱区；

一传输线，直接位于该深阱区上；以及

一介电层，分隔该传输线与该半导体基板的该顶面。

10.如权利要求9所述的基板电路结构，其中该第一导电性为p型，而该第二导电性为n型，其中该电压源用于供应一正电压。

11.如权利要求9所述的基板电路结构，其中该第一导电性为n型，以及该第二导电性为p型，其中该电压源用于供应一负电压。

12.如权利要求9所述的基板电路结构，还包括大体环绕该深阱区的一耗尽区，其中该耗尽区自该深阱区的一顶面延伸至该半导体基板的该顶面，且其中该耗尽区具有大体不小于该传输线的一区域的一区域。

13.如权利要求12所述的基板电路结构，其中该耗尽区的该区域大于该传输线的该区域，且其中该耗尽区于大体所有横向方向上横向地延伸至该传输线的各侧。

14.如权利要求12所述的基板电路结构，其中该深阱区包括多个深阱区指状物，所述多个深阱区指状物具有延伸于该些深阱区指状物间的该耗尽区。