[发明专利]芯片封装体有效

专利信息
申请号: 201010157720.0 申请日: 2010-04-01
公开(公告)号: CN102214614A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 蔡佳伦 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L21/78
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装
【说明书】:

技术领域

发明涉及芯片封装体,特别涉及一种芯片封装体的密封环结构。

背景技术

目前业界针对芯片的封装已发展出一种晶片级封装技术,在晶片级封装体完成之后,需在各芯片之间进行切割步骤,以分离各芯片,为了降低切割步骤中产生的裂缝延伸至芯片内的机率,在各芯片之间需设置密封环,以提高芯片封装体的可靠度。此外,密封环如占用额外的面积,则晶片上的管芯总数可能减少。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯封装体,以解决上述问题。

为达上述目的,本发明的实施例提供一种芯片封装体,包括:芯片,具有多个导电垫,设置于芯片周围;以及密封环,包括多个金属条状物,设置于两邻接导电垫所围的空间范围内,且每一金属条状物不同时与两邻接的导电垫电性连接。

为了让本发明的上述目的、特征、及优点能更明显易懂,以下配合附图,作详细说明如下:

附图说明

图1为依据本发明实施例的芯片封装体的密封环结构所在区域的俯视图;

图2A为图1中框线3B处的放大示意图;

图2B为依据本发明实施例的密封环结构的局部结构立体图;

图3A为依据本发明实施例的密封环结构的俯视图;

图3B为依据本发明另一实施例的密封环结构的俯视图;以及

图4A-图4F为依据本发明实施例的制作芯片封装体的各工艺步骤的剖面示意图。

附图标记说明

30~芯片;

36~连接部;

32~密封环;

34~导电垫;

40、41、43、45、401-408~金属条状物;

41a~外间隙;

45a~内间隙;

w~导电垫的宽度;

d~外间隙与内间隙的间距;

42~导孔;

44~应力挡墙;

341、342、343~导电垫的金属层;

411、412、413~金属条状物的金属层;

361、362、363~连接部的金属层;

100~晶片基板;

100’~薄化的晶片基底;

102~导电垫;

104~介电层;

106~间隔层;

107~空穴;

109~凹口;

110~微透镜阵列;

112绝缘层;

114~导线层;

116~保护层;

118~导电凸块;

200~封装层;

c~切割道;

S~两金属条状物之间的弯曲通道。

具体实施方式

以下以实施例并配合附图详细说明本发明,在附图或说明书描述中,相似或相同的部分使用相同的图号。且在附图中,实施例的形状或是厚度可扩大,以简化或是方便标示。再者,附图中各元件的部分将以描述说明之,值得注意的是,图中未绘示或描述的元件,为所属技术领域中普通技术人员所知的形式。另外,特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式,其并非用以限定本发明。

本发明是以制作影像感测元件封装体(image sensor package)的实施例作为说明。然而,可以了解的是,在本发明的芯片封装体的实施例中,其可应用于各种包含有源元件或无源元件(active or passive elements)、数字电路或类比电路(digital or analog circuits)等集成电路的电子元件(electroniccomponents),例如是有关于光电元件(opto electronic devices)、微机电系统(Micro Electro Mechanical System;MEMS)、微流体系统(micro fluidicsystems)、或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理传感器(PhysicalSensor)。特别是可选择使用晶片级封装(wafer scale package;WSP)工艺对影像感测元件、发光二极管(light-emitting diodes;LEDs)、太阳能电池(solarcells)、射频元件(RF circuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(micro actuators)、表面声波元件(surface acoustic wave devices)、压力传感器(process sensors)或喷墨头(ink printer heads)等半导体芯片进行封装。

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