[发明专利]半导体封装件及其制造方法无效

申请号：	201010158621.4	申请日：	2010-03-30
公开（公告）号：	CN102208396A	公开（公告）日：	2011-10-05
发明（设计）人：	翁承谊	申请（专利权）人：	日月光半导体制造股份有限公司
主分类号：	H01L25/00	分类号：	H01L25/00;H01L23/49;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司 31100	代理人：	陆勍
地址：	中国台湾高雄市***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体封装及其制造方法
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【说明书】：

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种利用打线技术形成金属焊线(solder wire)球的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

请参照图1(已知技术)，其绘示传统堆栈式半导体结构的剖视图。传统的堆栈式(stacked)半导体结构10由第一半导体封装件14及第二半导体封装件20堆栈而成。第一半导体封装件14与第二半导体封装件20之间以锡球22电性连接。

第二半导体封装件20具有导通孔16，第二半导体封装件20透过导通孔16电性连接于第一半导体封装件14与第二半导体封装件20的锡球18。

然而，由于导通孔16贯穿第二半导体封装件20的封胶12，因此降低第二半导体封装件20的结构强度。并且，由于导通孔16降低第二半导体封装件20的结构强度，使导通孔16与封胶12的外侧面24之间的厚度需较厚才能确保第二半导体封装件20的结构强度，如此导致第二半导体封装件20的尺寸无法缩小。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装件及其制造方法，半导体封装件具有一金属焊线，该金属焊线用以电性连接于一半导体组件以形成一堆栈式半导体封装结构，半导体封装件的金属焊线的形成并不会降低半导体封装件的结构强度，因此可确保半导体封装件的结构强度。

根据本发明的一方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一芯片组件、一金属焊线、一封胶、一导电部、一第一介电层及一图案化导电层。芯片组件包括一第一芯片及一第二芯片。第一芯片具有一第一主动表面并包括一第一接垫，第一接垫形成于第一主动表面。第二芯片堆栈于第一芯片上且具有一第二主动表面并包括一第二接垫，第二接垫形成于第二主动表面。封胶包覆芯片组件及金属焊线，封胶并具有一第一封胶表面，第一封胶表面露出金属焊线的一部分及第一接垫。导电部形成于封胶且导电部的至少一部分从第一封胶表面露出。第一介电层形成于第一封胶表面并具有一第一导电部开孔，第一导电部开孔露出导电部。图案化导电层形成于第一介电层上且图案化导电层的一部分形成于第一导电部开孔内以电性连接于导电部。其中，金属焊线电性连接导电部与第二接垫。

根据本发明的另一方面，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供具有一黏贴层的一载板；形成数个导电部于黏贴层；设置数个芯片组件于黏贴层上，每个芯片组件包括一第一芯片及一第二芯片。第一芯片具有一第一主动表面并包括一第一接垫，第一接垫形成于第一主动表面。第二芯片堆栈于第一芯片上且具有一第二主动表面并包括一第二接垫，第二接垫形成于第二主动表面且该些第一芯片的该些第一接垫面向黏贴层；以数条金属焊线电性连接该些导电部与该些第二接垫；以一封胶包覆该些芯片组件、该些金属焊线及每个导电部的至少一部分。封胶具有一第一封胶表面，该些导电部的位置与第一封胶表面重迭；移除封胶的部分材料以露出每条金属焊线的一部分；移除载板及黏贴层，使该些第一芯片的该些第一接垫及该些导电部从该第一封胶表面露出；形成一第一介电层于第一封胶表面，第一介电层具有露出该些导电部的数个第一导电部开孔；形成一图案化导电层于第一介电层上，图案化导电层的一部分形成于该些第一导电部开孔内以电性连接该些导电部；以及切割封胶，以分离该些芯片组件。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1(已知技术)绘示传统堆栈式半导体结构的剖视图。

图2绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的剖视图。

图3绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的制造流程图。

图4A至4I绘示图2的半导体封装件的制造示意图。

图5绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

图6绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图7A至7B绘示图6的半导体封装件的制造示意图。

主要组件符号说明：

10、100、200、300：半导体封装件

12、106、306：封胶