[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成导电膜；

在所述导电膜上形成第一氧化物半导体膜；

对所述导电膜和所述第一氧化物半导体膜进行蚀刻，来形成源电极层、漏电极层、第二氧化物半导体膜及第三氧化物半导体膜，所述第二氧化物半导体膜设置在所述源电极层上，并且所述第三氧化物半导体膜设置在所述漏电极层上；

对所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜进行反溅射处理；

在形成所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜之后在氮气氛中进行第一热处理；

在所述栅极绝缘层、所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜上形成第四氧化物半导体膜；

对所述第二至第四氧化物半导体膜进行蚀刻，来形成第一缓冲层、第二缓冲层及氧化物半导体层，所述第一缓冲层由所述第二氧化物半导体膜形成，并且所述第二缓冲层由所述第三氧化物半导体膜形成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一热处理在250℃至500℃进行。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一氧化物半导体膜在稀有气体和氮气体的气氛中形成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述反溅射处理在进行所述第一热处理之后进行。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第四氧化物半导体膜在稀有气体和氧气体的气氛中形成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤，在大气气氛中进行第二热处理，并且在形成所述第四氧化物半导体膜之前在氮气氛中进行第三热处理。

7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成导电膜；

在所述导电膜上形成第一氧化物半导体膜；

对所述导电膜和所述第一氧化物半导体膜进行蚀刻，来形成源电极层、漏电极层、第二氧化物半导体膜及第三氧化物半导体膜，所述第二氧化物半导体膜设置在所述源电极层上，并且所述第三氧化物半导体膜设置在所述漏电极层上；

对所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜进行反溅射处理；

在形成所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜之后在氮气氛下进行第一热处理；

在所述栅极绝缘层、所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜上形成第四氧化物半导体膜；

在对所述第四氧化物半导体膜进行蚀刻之前在大气气氛中进行第二热处理；

对所述第二至第四氧化物半导体膜进行蚀刻，来形成第一缓冲层、第二缓冲层及氧化物半导体层，所述第一缓冲层由所述第二氧化物半导体膜形成，并且所述第二缓冲层由所述第三氧化物半导体膜形成。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一热处理在250℃至500℃进行。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一氧化物半导体膜在稀有气体和氮气体的气氛中形成。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述反溅射处理在进行所述第一热处理之后进行。

11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述第四氧化物半导体膜在稀有气体和氧气体的气氛中形成。

12.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤，在大气气氛中进行第三热处理，并且在形成所述第四氧化物半导体膜之前在氮气氛中进行第四热处理。

13.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中所述第二热处理在250℃至500℃进行。