[发明专利]一种多级孔结构介孔二氧化硅材料及其制备方法

权利要求书

1.-种多级孔结构介孔二氧化硅材料，其特征在于：

(1)材料为球形形貌，直径在200nm-800nm；

(2)材料具有不同大小的两种介孔：一种是立方介观结构Pm3n的球形介孔，孔径大小为2.2-3.3nm；另外一种是分布在球形介孔之间的二级纳米孔，孔径大小在20-60nm；

(3)材料中二级纳米孔穿插在有序介孔之间，同时有序介孔仍然保持着立方有序结构，并且，介观有序性延续到整个颗粒，使整个颗粒类似一个介观结构的单晶体；

(4)比表面积171-734m²g^-1，总孔容0.65-1.15cm³g^-1；

(5)产物结构稳定，550-650℃空气中焙烧，材料介观结构稳定。

2.一种权利要求1所述的多级孔结构介孔二氧化硅材料的制备方法，具体步骤为：

1)把高分子聚电解质和表面活性剂充分溶解于去离子水，向上述溶液中滴加氨水碱性溶液，调节pH值为10-11，得到高分子聚电解质和表面活性剂的复合物；

2)向上述复合物溶液加入硅源，搅拌后密封反应。

3.如权利要求2所述的多级孔结构介孔二氧化硅材料的制备方法，其特征在于，步骤1)中合成原料的质量比为：

高分子聚电解质∶表面活性剂∶NH₃∶正硅酸乙酯∶水＝(3-15)∶(5-10)∶(2-5)∶(20-30)∶(250-500)。

4.如权利要求2所述的多级孔结构介孔二氧化硅材料的制备方法，其特征在于，步骤1)中高分子聚电解质为聚丙烯酸。

5.如权利要求2所述的多级孔结构介孔二氧化硅材料的制备方法，其特征在于，步骤1)中表面活性剂为十四烷基氯化铵或者十六烷基溴化铵。

6.如权利要求2所述的多级孔结构介孔二氧化硅材料的制备方法，其特征在于，步骤2)中硅源为正硅酸乙酯。

7.如权利要求4所述的多级孔结构介孔二氧化硅材料的制备方法，其特征在于，步骤1)中高分子聚电解质聚丙烯酸的分子量为240,000。