[发明专利]一种多级孔结构介孔二氧化硅材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010160350.6 申请日: 2010-04-30
公开(公告)号: CN101837981A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 陈铁红;王金桂 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 颜济奎
地址: 30007*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 多级 结构 二氧化硅 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于材料科学领域,具体涉及一种介孔二氧化硅材料及其制备方法。

背景技术

根据国际纯粹与应用化学会的定义,介孔是介于微孔(孔径<2nm)和大孔(>50nm)之间一种孔径。介孔二氧化硅是孔径在介孔范围内的一种多孔固体材料。有序介孔二氧化硅材料自1992年Mobil公司的科学家(C.T.Kresge,M.E.Leonowicz,W.J.Roth,J.C.Vartuli,and J.S.Beck,Nature1992,359,710.)利用阳离子表面活性剂作为模板剂成功合成以来,由于其具有规则有序的周期性孔道结构、高度均一的孔径分布、极高的比表面积、良好的热稳定性和水热稳定性,使其在催化剂及催化剂载体、吸附和分离、半导体材料和光电子器件、传感器及调节器阵列等领域具有很高的学术研究和工业应用价值(A.Corma Chem.Rev.,1997,97,2373.),从而成为材料科学研究的热点。

有序介孔二氧化硅主要通过超分子自组装方法合成,即通过双亲有机分子(表面活性剂)和无机晶种的相互作用,得到特定介观空间结构的有机无机复合物,通过焙烧或者萃取的方法除去表面活性剂,从而得到介孔材料。至今,阳离子表面活性剂(J.S.Beck,J.C.Vartuli,W.J.Roth,et al.J.Am.Chem.Soc.,1992,114,10834.),阴离子表面活性剂(S.CHE,A.E.GARCIA-BENNETT,T.YOKOI,et al.Nature Mater.,2003,2,801.),以及非离子表面活性剂(D.Zhao,J.Feng,Q.Huo,et al.Science,1998,279,548)都成功合成出了各种有序介观结构的二氧化硅。但是,通过单一的表面活性剂制备的介孔二氧化硅,得到的材料结构单一,多为一种孔径分布,难以实现多级孔径的控制制备,而多级孔结构的介孔二氧化硅在大分子进入和物质扩散传输中较单一孔径分布的介孔材料具有优越性,使其在大分子催化,吸附和分离方面具有更大的应用。多级孔结构的制备文献有所报道,主要靠不同尺度上的模板来控制各个尺度上的介孔分布,典型的是,杨等人(P.Yang,T.Deng,D.Zhao,Science,1998,282,2244.)利用单分散的聚苯乙烯球和双亲嵌段共聚物为不同尺度上的模板,制备了多级孔结构的介孔二氧化硅和金属氧化物材料,这种方法中采用硬模板聚苯乙烯球,这种模板的制备步骤复杂,工艺要求高。通过一种模板剂来“一锅”法制备多级孔结构的介孔二氧化硅,至今还是一项挑战性的研究课题。

发明内容:

本发明的目的在于提供一种双介孔模式的,更加有利于分子扩散和大分子进入的,用途更加广泛的多级孔结构介孔二氧化硅材料及其制备方法。

本发明的多级孔结构二氧化硅材料采用高分子聚电解质和表面活性剂的复合物为模板剂,以正硅酸乙酯为硅源,碱性条件下制备的。

本发明所述的多级孔结构二氧化硅材料特征为:

(1)材料为球形形貌,直径在200nm-800nm;

(2)材料具有不同大小的两种介孔:一种是立方介观结构的球形介孔,孔径大小为2.2-3.3nm;另外一种是分布在球形介孔之间的二级纳米孔,孔径大小在20-60nm;

(3)材料中二级纳米孔穿插在有序介孔之间,同时有序介孔仍然保持着立方有序结构,并且,介观有序性延续到整个颗粒,使整个颗粒类似一个介观结构的单晶体;

(4)比表面积171-734m2g-1,总孔容0.65-1.15cm3g-1

(5)产物结构稳定,550-650℃空气中焙烧,材料介观结构稳定。

所述的多级孔结构介孔二氧化硅材料的制备方法,具体步骤为:

1)把高分子聚电解质和表面活性剂充分溶解于去离子水,向上述溶液中滴加氨水碱性溶液,调节pH值为10-11,得到高分子聚电解质和表面活性剂的复合物;

2)向上述复合物溶液加入硅源,搅拌后密封反应。

步骤1)中合成原料的质量比为:

高分子聚电解质∶表面活性剂∶NH3∶正硅酸乙酯∶水=(3-15)∶(5-10)∶(2-5)∶(20-30)∶(250-500)。

步骤1)中高分子聚电解质可以为聚丙烯酸。

步骤1)中表面活性剂可以为十四烷基氯化铵或者十六烷基溴化铵。

步骤2)中硅源可以为正硅酸乙酯。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南开大学,未经南开大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010160350.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top