[发明专利]一种新型贴片二极管的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010162112.9 申请日: 2010-05-05
公开(公告)号: CN102237275A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 黄建山;张练佳;陈建华;梅余锋;贲海蛟 申请(专利权)人: 如皋市易达电子有限责任公司
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329;H01L21/00
代理公司: 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 代理人: 钟廷良;徐文
地址: 226500 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 二极管 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体二极管的制造,具体地说是成本低,性能优越的贴片二极管的制造方法。

背景技术

随着科技的进步,电器行业正朝着高集成、大功率的方向发展,原材料成本不断上升,这给贴片二极管的成本及品质提出了更高的要求。现有贴片二极管芯片一般采用多次玻璃烧涂和多次光刻的芯片GPP与铜框架来制作,由于制作过程中较复杂高,而且成本较高,且由于生产过程需作预焊接,两次焊接才能完成,效率较低,其能源消耗大;所以有必要对现有的贴片二极管的生产方法加以改进,保证产品的性能的同时,大大降低成本。

发明内容

本发明的目的是要提供一种能减少氮气的使用,具有节能降耗,成本大降低的一种贴片二极管的制造方法。

为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:

一种新型贴片二极管的制造方法,主要由将二极管的两铜引线电极、焊片、二极管芯片先焊接,然后进行酸洗、和高纯水冲洗,然后再经过无水乙醇清洗,再进行烘干、上胶、注塑,最后对引脚进行处理成成品,其特征在于:所述酸洗步骤中采用集中定点放入酸液的方法进行酸洗;所述高纯水冲洗步骤中采用将水流喷射成扇形面对二极管进行冲洗。

进一步地,所述酸洗液体积比为:HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=7-11∶9-10∶10-14∶2-6,其余为水,酸洗时间h3为:135秒≤h3≤155秒。

进一步地,所述酸洗液体积比为:HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=9∶9∶12∶4,其余为水。

本发明与现有技术相比具有以下显著优点:

1、改变酸洗时的下酸方式,将现有散下式方法改为集中定点放入酸液,减小了酸的耗用,同时降低了对环境的污染,减少了对铜引线的腐蚀。

2、清洗过程中采用了扇形喷嘴冲洗的方式能有效地去除杂质。

3、采用两道高纯水超声波清洗,再经过两道无水乙醇清洗,清洗后用超声波脱水,使产品高温性能大幅度地提高。

4、由于生产的过程简单成熟,效率高,能耗小,所以有着很大的实用和推广价值。

具体实施方式

一种贴片二极管的制造方法,它包括以下步骤:

(1)将两铜引线电极、焊片、二极管芯片装入工夹具内,送入焊接炉加温,温度t1为:290℃≤t1≤305℃,温控时间h1为:14分钟≤h1≤16分钟,使用氮气作为焊接时的保护气体;

(2)将步骤(1)的二极管材料随同焊接炉温度缓慢下降至t2为:95℃≤t2≤105℃,温控时间h2为:28分钟≤h2≤32分钟;

(3)将步骤(2)的二极管材料装人酸洗盘中;

(4)将步骤(3)的二极管材料进行一次酸洗,酸洗液为:HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=9∶9∶12∶4,体积比腐蚀去除划片机械损伤层,时间h3为:135秒≤h3≤155秒;

(5)将步骤(4)的二极管材料用高纯水将水流成扇面状喷射冲洗,冲洗时间h4为:50秒≤h4≤70秒;

(6)将步骤(5)的二极管材料进行二次酸洗,酸洗液为:H3PO4∶H2O2∶H2O=1∶1∶3进行清洗,温度t3为:58℃≤t3≤62℃,时间h5为:50秒≤h5≤60秒;

(7)将步骤(6)的二极管材料用高纯水将水流成扇面状喷射冲洗,冲洗时间h6为:50秒≤h6≤70秒;

(8)将步骤(7)的二极管材料再经过两道高纯水超声波清洗,清洗时间h7为:90秒≤h7≤120秒;

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