[发明专利]一种新型贴片二极管的制造方法有效
申请号: | 201010162112.9 | 申请日: | 2010-05-05 |
公开(公告)号: | CN102237275A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 黄建山;张练佳;陈建华;梅余锋;贲海蛟 | 申请(专利权)人: | 如皋市易达电子有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/00 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 钟廷良;徐文 |
地址: | 226500 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 二极管 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体二极管的制造,具体地说是成本低,性能优越的贴片二极管的制造方法。
背景技术
随着科技的进步,电器行业正朝着高集成、大功率的方向发展,原材料成本不断上升,这给贴片二极管的成本及品质提出了更高的要求。现有贴片二极管芯片一般采用多次玻璃烧涂和多次光刻的芯片GPP与铜框架来制作,由于制作过程中较复杂高,而且成本较高,且由于生产过程需作预焊接,两次焊接才能完成,效率较低,其能源消耗大;所以有必要对现有的贴片二极管的生产方法加以改进,保证产品的性能的同时,大大降低成本。
发明内容
本发明的目的是要提供一种能减少氮气的使用,具有节能降耗,成本大降低的一种贴片二极管的制造方法。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种新型贴片二极管的制造方法,主要由将二极管的两铜引线电极、焊片、二极管芯片先焊接,然后进行酸洗、和高纯水冲洗,然后再经过无水乙醇清洗,再进行烘干、上胶、注塑,最后对引脚进行处理成成品,其特征在于:所述酸洗步骤中采用集中定点放入酸液的方法进行酸洗;所述高纯水冲洗步骤中采用将水流喷射成扇形面对二极管进行冲洗。
进一步地,所述酸洗液体积比为:HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=7-11∶9-10∶10-14∶2-6,其余为水,酸洗时间h3为:135秒≤h3≤155秒。
进一步地,所述酸洗液体积比为:HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=9∶9∶12∶4,其余为水。
本发明与现有技术相比具有以下显著优点:
1、改变酸洗时的下酸方式,将现有散下式方法改为集中定点放入酸液,减小了酸的耗用,同时降低了对环境的污染,减少了对铜引线的腐蚀。
2、清洗过程中采用了扇形喷嘴冲洗的方式能有效地去除杂质。
3、采用两道高纯水超声波清洗,再经过两道无水乙醇清洗,清洗后用超声波脱水,使产品高温性能大幅度地提高。
4、由于生产的过程简单成熟,效率高,能耗小,所以有着很大的实用和推广价值。
具体实施方式
一种贴片二极管的制造方法,它包括以下步骤:
(1)将两铜引线电极、焊片、二极管芯片装入工夹具内,送入焊接炉加温,温度t1为:290℃≤t1≤305℃,温控时间h1为:14分钟≤h1≤16分钟,使用氮气作为焊接时的保护气体;
(2)将步骤(1)的二极管材料随同焊接炉温度缓慢下降至t2为:95℃≤t2≤105℃,温控时间h2为:28分钟≤h2≤32分钟;
(3)将步骤(2)的二极管材料装人酸洗盘中;
(4)将步骤(3)的二极管材料进行一次酸洗,酸洗液为:HF∶HNO3∶HAC∶H2SO4=9∶9∶12∶4,体积比腐蚀去除划片机械损伤层,时间h3为:135秒≤h3≤155秒;
(5)将步骤(4)的二极管材料用高纯水将水流成扇面状喷射冲洗,冲洗时间h4为:50秒≤h4≤70秒;
(6)将步骤(5)的二极管材料进行二次酸洗,酸洗液为:H3PO4∶H2O2∶H2O=1∶1∶3进行清洗,温度t3为:58℃≤t3≤62℃,时间h5为:50秒≤h5≤60秒;
(7)将步骤(6)的二极管材料用高纯水将水流成扇面状喷射冲洗,冲洗时间h6为:50秒≤h6≤70秒;
(8)将步骤(7)的二极管材料再经过两道高纯水超声波清洗,清洗时间h7为:90秒≤h7≤120秒;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于如皋市易达电子有限责任公司,未经如皋市易达电子有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010162112.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造