[发明专利]三阶非线性光学性碲基复合薄膜及其制备方法无效
申请号: | 201010162549.2 | 申请日: | 2010-04-30 |
公开(公告)号: | CN101838112A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 辜敏;李强;鲜晓东;甘平 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | C03C17/22 | 分类号: | C03C17/22;G02B1/10;G02F1/355 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 谢殿武 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非线性 光学 性碲基 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种三阶非线性光学性碲基复合薄膜,其特征在于:为SiO2颗粒之间嵌有TeO2和/或Te形成的Te/TeO2-SiO2复合薄膜结构。
2.一种权利要求1所述的三阶非线性光学性碲基复合薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
a.制备TeO2-SiO2透明复合溶胶;
d.将TeO2-SiO2透明复合溶胶以电化学的方式在工作电极上生成复合薄膜,通过控电位、控电流方法或调控循环伏安方法中的起止电位调整复合薄膜中Te/TeO2的组成、结构及其和SiO2的比例;
c.将附着有Te/TeO2-SiO2复合薄膜的工作电极在室温下自然晾干。
3.根据权利要求2所述的三阶非线性光学性碲基复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤a中,TeO2-SiO2透明复合溶胶由异丙醇碲、正硅酸乙酯、异丙醇、乙醇、水、盐酸和乙二醇混合配制而成。
4.根据权利要求3所述的三阶非线性光学性碲基复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤b中,工作电极为导电玻璃ITO,Pt为辅助电极,在-0.1V下进行恒电位电化学诱导,时间10-50s。
5.一种权利要求1所述的三阶非线性光学性碲基复合薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
a.制备TeO2-SiO2透明复合溶胶;
d.将透明复合溶胶干燥直至成为凝胶后磨成粉末,将粉末进行热处理,从室温升到50℃保温30min,以每升高50℃保温30min的方式升温至350-500℃,保温30-60min,得到Te/TeO2-SiO2粉体材料后自然冷却至室温;通过控制热处理温度来调整粉末中Te/TeO2的组成、结构及其和SiO2的比例;
c.将步骤b得到的粉体,采用真空镀膜的方法得到薄膜材料。
6.根据权利要求4所述的三阶非线性光学性碲基复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤a中,TeO2-SiO2透明复合溶胶由异丙醇碲、正硅酸乙酯、异丙醇、乙醇、水、盐酸和乙二醇混合配制而成。
7.根据权利要求5所述的三阶非线性光学性碲基复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤b将透明复合溶胶放在60℃干燥箱干燥直至成为凝胶后在150℃下保温2h后进行热处理。
8.根据权利要求6所述的三阶非线性光学性碲基复合薄膜的制备方法,其特征在于:步骤c中,以Te/TeO2-SiO2粉体压制成的坯做为靶材,利用射频磁控溅射,得到Te/TeO2-SiO2复合薄膜。
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