[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装结构，包括：

一绝缘基板，具有第一表面以及相对于第一表面之第二表面；

一凹槽，位于该绝缘基板之第一表面；

二电极层由该凹槽底部两端延伸至绝缘基板之第二表面；及

一发光二极管芯片位于该凹槽内并且与该二电极电性连接，其特征在于：该凹槽底部设有与二电极层电性连接并与发光二极管芯片并联的齐纳二极管。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述齐纳二极管包括设置在凹槽底部的第一电性掺杂层、第二电性掺杂层，该第一、第二电性掺杂层由磊晶掺杂、扩散掺杂或者离子布植方式制作而成，二电极层分别与第一、第二电性掺杂层中的其中之一电性连接。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘基板上延伸设置有一绝缘层，与第一电性掺杂层电性连接的一电极层借由该绝缘层与第二电性掺杂层电性隔绝。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘基板的材料包括硅、砷化镓、氧化锌及磷化铟的其中之一。

5.如权利要求1-4项中任意一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述绝缘基板上设有贯穿绝缘基板的若干通孔，通孔内设有导电柱，导电柱与电极层电性连接。

6.一种发光二极管封装结构的制造方法，其步骤包括：

提供一绝缘基板，该绝缘基板上设有一凹槽；

在凹槽底部设置一齐纳二极管；

提供二电极层，该二电极层设置在绝缘基板上，并且该二电极层分别与齐纳二极管电性连接；

提供一发光二极管芯片，该发光二极管芯片设置在凹槽内与二电极层电性连接，并与齐纳二极管并联。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述齐纳二极管包括以磊晶掺杂、扩散掺杂或者离子布植的方式形成的一第一电性掺杂层及一第二电性掺杂层，且第一、第二电性掺杂层分别与二电极层的其中之一电性连接。

8.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：还包括在绝缘基板上设置一绝缘层，与第一电性掺杂层电性连接的一电极层借由该绝缘层与第二电性掺杂层电性隔绝。

9.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：还包括在绝缘基板上开设若干通孔，在通孔内设置导电柱，使导电柱与电极层电性连接。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：该导电柱的材料至少包含下列金属材料之一：金、银、铜、镍、铝以及钛，或是前述金属的合金。