[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光组件，特别涉及一种发光二极管的封装结构及其制造方法。

背景技术

作为一种新兴的光源，发光二极管凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点，已被广泛地应用到当前的各个领域当中，大有取代传统光源的趋势。

发光二极管是一种单向导通的电子组件，当经过发光二极管的电流为正向导通时，可使发光二极管发光。当电流反向时，发光二极管不能导通，并且若电流过大，有可能击穿发光二极管，使发光二极管不能再正常工作。因此业界多有设置一稳压二极管与发光二极管并联，若有异常的反向电流或静电产生时，过高的反向电流可经由该稳压二极管进行放电，从而保护发光二极管不受到破坏。目前业界采用打线外置固定的方式，将稳压二极管与发光二极管并联。然而，这种外置并联的稳压二极管不但使发光二极管封装的结构复杂、体积增大，而且不能保证两者的电连接的稳定性，这对于发光二极管的后端使用都是不利因素。因此，业者对此问题多有关注。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种利于产业应用的发光二极管封装结构及其制造方法。

一种发光二极管封装结构，包括绝缘基板、发光二极管芯片及二电极层，该绝缘基板的一面上设有凹槽，该发光二极管芯片设置于该凹槽中，二电极层置于绝缘基板的所述一面上并分别与发光二极管芯片电性连接，该凹槽底部设有与二电极层电性连接并与发光二极管芯片并联的齐纳二极管。

一种发光二极管封装结构的制造方法，其步骤包括：提供一绝缘基板，该绝缘基板上设有一凹槽；在凹槽底部设置一齐纳二极管；提供二电极层，该二电极层设置在绝缘基板上，并且该二电极层分别与齐纳二极管电性连接；提供一发光二极管芯片，该发光二极管芯片设置在凹槽内与二电极层电性连接，并与齐纳二极管并联。

与现有技术相比，本发明发光二极管封装结构将齐纳二极管设置在绝缘基板内，与发光二极管封装构造一体化，可减少物料与人力成本。同时，内置的齐纳二极管由于不需要外部打线与电极层形成电性连接，不仅提高齐纳二极管与电极层的电性连接的稳定性，还可降低发光二极管的封装结构的复杂度。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1为本发明第一实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。

图2为本发明第二实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。

图3为本发明第三实施例的发光二极管封装结构的剖视示意图。

主要元件符号说明

绝缘基板          100、200

第一表面          102、202

凹槽              103、203

第二表面          104、204

通孔              105、205

发光二极管芯片    110、210

电极              112、114

齐纳二极管        120、220

第一电性掺杂层    122、222

第二电性掺杂层    124、224

电极层            132、134、232、234

导电柱            150、250

具体实施方式

第一实施例

请参阅图1，本发明第一实施例中的发光二极管封装结构包括一绝缘基板100，一发光二极管芯片110，一齐纳二极管120及二电极层132、134。该齐纳二极管120设置在绝缘基板100内并与二电极层132、134电性连接。该发光二极管芯片110设置在绝缘基板100上并与二电极层132、134电性连接，同时与齐纳二极管120并联。当二电极层132、134与外部电源连接时，该发光二极管芯片110正向导通后可发光。齐纳二极管120的极性与发光二极管芯片110的极性相反，因此若有异常的反向电流或静电产生时，过高的反向电流可经由该齐纳二极管120进行放电，从而保护发光二极管芯片110不被击穿。

具体的，该绝缘基板100具有一第一表面102及与第一表面102相对的第二表面104。在第一表面102上形成有一凹槽103。绝缘基板100可由如下材料中的一种或多种制成：硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氧化锌(ZnO)及磷化铟(InP)。