[发明专利]半导体元件杂质浓度分布控制方法与相关半导体元件有效
| 申请号： | 201010163890.X | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102222609A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;林盈秀 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L29/78;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 杂质 浓度 分布 控制 方法 相关 | ||
1.一种半导体元件杂质浓度分布控制方法，其特征在于，包含以下步骤：
提供一基板；
于该基板上，定义一掺杂范围，该掺杂范围具有至少一第一区域；
以一屏蔽图案部分遮蔽该第一区域；以及
将杂质掺杂于该掺杂范围内，使得该第一区域内的杂质连成一体，且具有相较于无任何屏蔽图案而直接掺杂时较低的杂质掺杂浓度。
2.如权利要求1所述的半导体元件杂质浓度分布控制方法，其中，还包含：一加热扩散步骤，以确使该第一区域内的杂质连成一体。
3.如权利要求1所述的半导体元件杂质浓度分布控制方法，其中，该掺杂范围还具有一第二区域，其中，相较于第一区域，第二区域内包含密度较低的屏蔽图案或不包含屏蔽图案，以使该第二区域的杂质浓度较第一区域高。
4.如权利要求1所述的半导体元件杂质浓度分布控制方法，其中，该屏蔽图案为光阻或硬屏蔽。
5.如权利要求1所述的半导体元件杂质浓度分布控制方法，其中，该掺杂范围为一埋层或深井区。
6.一种半导体元件，其特征在于，包含：
一基板；
位于该基板内的一掺杂区，此掺杂区内包含第一与第二区域，两区域具有不同的掺杂浓度；
于该基板内与该第一区域接触的第一井区，此第一井区与该掺杂区具有相同传导型态；以及
于该基板内与该第二区域接触的第二井区，此第二井区与该掺杂区具有相反传导型态；
其中，该掺杂区以单一杂质掺杂步骤，通过在第一与第二区域上形成不同密度的屏蔽图案而形成。
7.如权利要求6所述的半导体元件，其中，此半导体元件为一横向扩散金属氧化物半导体元件或一静电防护元件。
8.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该第一与第二区域之一的屏蔽图案密度为0。
9.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该掺杂区为一埋层或深井区。
10.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该第二区域的掺杂浓度较低，以在该第二井区与该第二区域之间形成较高的崩溃防护电压。
11.如权利要求6所述的半导体元件，其中，该第二区域的掺杂浓度较高，以在该第二井区与该第二区域之间形成较低的崩溃防护电压。
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