[发明专利]共享字线的无触点SONOS分栅式闪存

权利要求书

1.一种共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，包括：

半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；

沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；

第一位线和第二位线，分别直接连接于所述源极区域和漏极区域；

第一浮栅，设置于所述沟道区和源极区域上方；

第二浮栅，设置于所述沟道区和漏极区域上方，所述第一浮栅和第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；

字线，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述沟道区上方并位于所述第一浮栅和第二浮栅之间，所述第二部分连接于所述第一部分顶部，并位于所述第一浮栅和第二浮栅上方，所述第二部分顶部延伸至所述第一位线和第二位线上方，并通过绝缘层与所述第一位线和第二位线顶部相隔离，

其中，所述第一浮栅和第二浮栅为氮化硅浮栅。

2.根据权利要求1所述的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，分别对所述字线、所述第一位线和所述第二位线施加第一存储位单元读取电压，实现第一存储位单元读取。

3.根据权利要求2所述的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，对所述字线、所述第一位线和所述第二位线施加的第一存储位单元读取电压分别为2.5V、0V和1.5V，实现第一存储位单元读取。

4.根据权利要求1所述的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，分别对所述字线、所述第一位线和所述第二位线施加第二存储位单元读取电压，实现第二存储位单元读取。

5.根据权利要求4所述的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，对所述字线、所述第一位线和所述第二位线施加的第二存储位单元读取电压分别为2.5V、1.5 V和0V，实现第二存储位单元读取。

6.根据权利要求1所述的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，分别对所述字线、所述第一位线和所述第二位线施加第一存储位单元编程电压，实现第一存储位单元编程。

7.根据权利要求6所述的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，对所述字线、所述第一位线和所述第二位线施加的第一存储位单元编程电压分别为4V、7.5V和0V，实现第一存储位单元编程。

8.根据权利要求1所述的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，分别对所述字线、所述第一位线和所述第二位线施加第二存储位单元编程电压，实现第二存储位单元编程。

9.根据权利要求8所述的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，对所述字线、所述第一位线和所述第二位线施加的第二存储位单元编程电压分别为4V、0V和7.5V，实现第二存储位单元编程。

10.根据权利要求1所述的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，分别对所述字线、所述第一位线和所述第二位线施加存储位单元擦除电压，实现第一存储位单元和第二存储位单元擦除。

11.根据权利要求10所述的共享字线的无触点SONOS分栅式闪存，其特征在于，对所述字线、所述第一位线和所述第二位线施加的存储位单元擦除电压分别为0V、11V和11V，实现第一存储位单元和第二存储位单元擦除。