[发明专利]用于俘获基板的系统和方法

权利要求书

1.一种从一用于电子处理一电子基板的环境中移除与侦测一分子物种的方法，所述环境是位于一运作于电子制程的输送容器内，其特征在于，所述方法包括：

提供一俘获基板，其中该俘获基板的表面积不同于该电子基板，并且该俘获基板会从该输送容器内的环境移除分子物种；

将该俘获基板曝露于该环境中，所述环境是位于一运作于电子制程的输送容器内，以用于电子处理该电子基板；

将该分子物种从该环境中输送至该俘获基板；

确认输送至该俘获基板的分子物种的特征，以便侦测该分子物种。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确认该分子物种的特征包括从该俘获基板中脱附该物种。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子基板为一硅晶圆。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硅晶圆为一正在进行电子处理的未经处理单晶硅晶圆。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述俘获基板的表面积大于该硅晶圆。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆的表面积的10倍。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆的表面积的25倍。

8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆的表面积的100倍。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘获基板包含硅。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘获基板包含一低k介电质。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘获基板包含铜，而曝露该俘获基板则包含将该铜曝露于该环境之中。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述俘获基板具有一仿真该电子基板表面特征的表面。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述环境位于一前开式联合晶圆盒内。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述前开式联合晶圆盒被配置成用以固持至少26片晶圆形状的基板。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分子物种为一污染物。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述输送该分子物种会因而纯化该污染物的环境。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述环境包括一流动流体。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述环境大体上为静止。

19.一种诊断系统，用以诊断一用于电子制造一电子基板的环境中是否有一分子物种存在，所述环境是位于一运作于电子制程的输送容器内，其特征在于，所述系统包括：

一包围一环境的输送容器，所述环境是位于运作于电子制程的该输送容器内，以用于电子制造该电子基板；

一内含于该输送容器中的俘获基板，其中该俘获基板的表面积不同于该电子基板，并且该俘获基板会从该输送容器内的环境移除分子物种。

20.如权利要求19所述的系统，特征在于，进一步包括：

一热脱附装置，其设置在一迷你环境之中，其中该热脱附装置被配置成于该俘获基板被安置在该热脱附装置之中时用来从该俘获基板中移除至少一分子物种。

21.如权利要求19所述的系统，其特征在于，所述电子基板为一硅晶圆。

22.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述硅晶圆为一正在进行电子处理的未经处理单晶硅晶圆。

23.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述俘获基板的表面积大于该硅晶圆。

24.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆的表面积的10倍。

25.如权利要求21所述的系统，其特征在于，所述俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆的表面积的25倍。