[发明专利]用于俘获基板的系统和方法

说明书

本申请是原申请的申请日为2006年7月31日，申请号为200680030803.5，发明名称为《用于俘获基板的系统和方法》的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种在一电子处理环境中侦测与移除一分子物种的方法，以及用于施行该方法的系统，用于在电子制造环境中实时侦测与移除污染物。

背景技术

在电子制造期间与分子污染物是否存在有关的实时信息已经越来越重要。随着装置处理成本与耗时越来越高，在完成一中间步骤时和一被处理的基板的状态有关的精确信息会相当有利。特别重要的是需要有分子物种信息，而非仅为一基板的一般型态信息，这是因为此污染可能并不会在污染的初始点处便显现有其存在，而是直到实施数道后续步骤之后才会显现。同样地，因为装置的形体尺寸不断地缩小，分子物种必须在越来越低的密度等级被侦测出来。正在进行电子处理的装置特别容易在中间制程间输送该等装置期间受到污染。输送容器(如前开式联合晶圆盒(front opening unified pod))时可能会不慎经由该容器构造的泄漏或散发而将污染物引至其内正在输送的材料中。

发明内容

本发明的实施例是关于运用一俘获基板来纯化一环境及/或确认该环境中是否有一分子物种存在的方法与系统，当该环境是位于电子制造中所运用的输送容器内时，此等实施例会特别有利，其可纯化及/或确认分子物种，该分子物种为在实时装置制造期间介于个别处理步骤之内及之间的污染物。与见证晶圆(witness wafer)所不同是(见证晶圆是在模型实验中用于推知和一假定工作器具环境污染有关的一般信息)，本发明的一些实施例允许正在实施一真实制程时来分析实时信息，以判断制程污染情形。

本发明的其中一实施例是关于一种在一电子基板的电子处理环境中侦测一分子物种的方法。一俘获基板会曝露在一具有该分子物种的电子处理环境中，该俘获基板具有一不同于该电子基板的表面积。该分子物种会被输送至该俘获基板。接着便会确认该被输送的分子物种的特征，从而侦测该分子物种。

该俘获基板可能包括硅、低k介电质、铜、或是一仿真该正在进行电子处理的电子基板的表面特征的表面。该分子物种可能为一污染物。该环境可能包括一流动流体或是一大致静止的流体。该环境可能位于一输送容器内，较佳的是位于一前开式联合晶圆盒(FOUP)内。该FOUP可被配置成用以固持至少26片晶圆形状的基板。该FOUP可能含有25片正在进行电子处理的晶圆以及一片俘获基板。该电子基板较佳的为一硅晶圆，更佳的为一未经处理的单晶硅晶圆。该俘获基板具有不同于该电子基板的表面积，举例来说，该俘获基板的表面积可能至少约为该硅晶圆表面积的10倍。较佳而言，该俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆表面积的25倍。更佳而言，该俘获基板的表面积至少约为该硅晶圆表面积的100倍。输送该分子物种至该俘获基板可能还会纯化该分子物种的环境。通过从该俘获基板中脱附该物种便可部份确认该分子物种的特征。

本发明的另一实施例是关于从一电子基板的电子处理环境中移除一分子物种。一俘获基板会曝露在一具有该分子物种的电子处理环境中，该俘获基板具有一不同于该电子基板的表面积。该分子物种会被输送至该俘获基板，从而自该环境中移除该分子物种。

于本发明的另一实施例中提供一种诊断系统，用以诊断在一电子基板的电子处理环境中是否有一物种存在。该系统包含一包围一环境的输送容器，以及一被包含于该输送容器中的俘获基板。该俘获基板具有一不同于该电子基板的表面积。该系统可能还进一步包含一位于一迷你环境中的热脱附装置，该迷你环境被配置成当该基板被安置在该热脱附装置中时用以从该俘获基板中移除一分子物种。

于本发明的另一实施例中提供一种判断方法，用以判断一运作于两个迷你环境之间的输送容器中是否有一分子物种存在。一俘获基板会从一第一迷你环境中被加载一输送容器之中，该容器还会固持至少一来自该第一迷你环境的电子基板。该输送容器会从该第一迷你环境中被输送至一第二迷你环境中。该俘获基板会被移除并且分析以判断至少一分子物种是否存在。视情况，该分子物种会接着从该俘获基板中被移除并且在后续输送至另一迷你环境期间重新用在一输送容器之中。

本发明的另一实施例是关于一种判断方法，用以判断一运作于一电子制程中的输送容器中是否有一分子物种存在。于一运用多道步骤的电子制程中会完成至少一处理步骤。一输送容器会装载一俘获基板，并且会至少固持一片于一先前处理步骤中被处理的电子基板。该输送容器会被输送至一位置以实施一后续处理步骤。该俘获基板会被移除并且分析该分子物种是否存在。于实施后续的制程步骤时可反复施行本方法。