[发明专利]采用混合保护层的等离子显示器及混合保护层的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及应用于等离子显示器中的保护层的技术领域。

背景技术

MgO薄膜是等离子体器件，如等离子体显示器件(PDP)中传统的保护层，由于其对Ne离子具有较高的二次电子发射系数和对离子的耐轰击性，使之成为等离子体器件保护层的首选。但随着该类器件分辨率的提高、发光效率提高的需求，采用高Xe配比的工作气体成为等离子体器件发展的必然，但随之而来的高着火电压，长响应时间又成为新的制约，因此新型保护层技术的研究成为解决这些技术难点的重要途径之一。

日本Pi oneer公司首先在MgO薄膜制备一层MgO单晶，利用其外电子发射特性，为PDP器件在寻址过程提供了初始电子(priming电子)，大大降低了PDP器件的统计响应时间(jitter时间)。这项技术为PDP实现高分辨率下的快速寻址解决了关键而重要的技术难点，大大促进了PDP技术的发展进程，使PDP性能有了很大的提高。另外，提高保护层对Xe离子的二次电子发射系数，可以降低着火电压，也使改善器件特性的一条重要途径。如SrO或者MgSrO薄膜被提出作为保护膜，可以提高对Xe的二次电子发射系数。目前这些保护层只能实现对等离子体器件特性改善的单一作用。

发明内容

本发明目的是提高一种多功能的综合改善等离子体器件的特性，降低统计响应时间，改善二次电子发射特性的采用混合保护层的等离子显示器及混合保护层的制备方法。

本发明为实现上述目的，采用如下技术方案：

第一：提出高Zn含量(x值)的Mg_1-xZn_xO晶体作为一种保护层的源(源一)，用于等离子体器件中可以改善对Xe离子的二次电子发射系数，控制Zn的含量(x值)为30％＜Zn含量＜50％，Mg_1-xZn_xO晶体的粒径为200nm～2μm。

第二：提出低Zn掺杂的Mg_1-xZn_xO晶体作为一种保护层的源(源二)，用于等离子体器件中，获得在等离子体器件工作条件下具有外逸电子发射特性，控制Zn的含量(x值)为0＜Zn含量＜10％，Mg_1-xZn_xO晶体的粒径为200nm～2μm。

第三：将高Zn含量和低Zn掺杂的Mg_1-xZn_xO晶体按照一定比例混和构成保护层源(源三)，混和比例控制为，高Zn含量的Mg_1-xZn_xO晶体占总重量的50～70％，低Zn掺杂的Mg_1-xZn_xO晶体占总重量的30～50％。

第四，发明混和保护层的制备方法，将混和保护层源(源三)按照使用溶剂重量的5-10％的比例，分散到易挥发的有机溶剂中，有机溶剂可采用乙醇或异丙醇，经过超声处理使之均匀分散在溶剂中，采用喷雾喷枪，均匀喷洒在已制备好MgO薄膜的表面，待有机溶剂挥发，便形成MgO薄膜表面上的混和保护层。

比较好的的是，该混和保护层可以制备在表面放电型等离子体显示器件的前基板MgO的表面，综合起到提高Xe离子二次电子发射系数和外逸电子发射特性的作用。

比较好的的是，该混和保护层可以制备在表面放电型等离子体显示器件的前基板MgO的表面，同时将源二与绿色荧光粉混和，混和比例为占绿色荧光粉的5～10％，制备在后基板的荧光粉层中，不仅可以综合起到提高Xe离子二次电子发射系数和外逸电子发射特性的作用，还可以改善荧光粉绿光的发光特性，降低器件的黑色噪声，即绿色荧光粉在一些寻址期不能发光，仍然是黑色，特别是在那些寻址等待期较长的临界灰度点，容易产生黑色噪声。

比较好的的是，对于对向式放电的荫罩式等离子体显示器件，该混和保护层可以制备在前基板和后基板的MgO薄膜的表面，改善器件的特性。

比较好的的是，对于对向式放电的荫罩式等离子体显示器件，该混和保护层制作在前后基板MgO薄膜的表面，同时将源二与绿色荧光粉混和，混和比例为占绿色荧光粉的5～10％，制备在荫罩的内壁表面形成荧光粉层，不仅可以改善器件的响应时间、发光效率，还可以改善器件的发光特性。

比较好的的是，对于采用Ne-Xe混和气体工作的平板等离子体光源，该混和保护层可以制备在前基板MgO的表面，或者，在制备在平板等离子体光源的前基板MgO的表面的同时，将源二与绿色荧光粉混和，混和比例为占绿色荧光粉的5～10％，将掺有源二的绿色荧光粉与红色荧光粉、蓝色荧光粉混和，制备在平板等离子体光源的后基板表面，形成荧光粉层。