[发明专利]发光二极管的封装结构无效

专利信息
申请号: 201010169688.8 申请日: 2010-05-14
公开(公告)号: CN102244178A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 谢明村;曾文良;陈隆欣;林志勇 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56;H01L25/16;H01L25/13
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地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极管的封装结构包括一硅基板、贴设在该硅基板上的一发光二极管芯片,及一玻璃封装体,该玻璃封装体盖罩于所述发光二极管芯片上,该硅基板具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面,其特征在于:所述发光二极管芯片设置于该第一表面上,所述玻璃封装体卡合于所述硅基板的第一表面上,并与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片,该玻璃封装体与硅基板之间形成一容置空间,所述发光二极管芯片容置于该容置空间内。

2.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述发光二极管还包括一稳压二极体设置于第一表面上、并与所述发光二极管芯片电性相连。

3.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述第一表面向下凹陷形成有一碗状凹陷部,所述发光二极管芯片容置于该凹陷部内,该硅基板的第一表面上沿凹陷部的开口处周缘向下凹陷形成一台阶部,所述玻璃封装体承载于该台阶部上,以与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片。

4.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述玻璃封装体具有一供发光二极管发出的光线射入该玻璃封装体的入光面及一供发光二极管发出的光线射出该玻璃封装体的出光面。

5.如权利要求4所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述玻璃封装体呈板状、球形拱状体、椭球形拱状体或长条拱形体。

6.如权利要求4所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述玻璃封装体的入、出光面为平面、波浪面或拱形曲面。

7.如权利要求3所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述第二表面向上凹陷形成有另一碗状凹陷部,所述发光二极管还包括另一发光二极管芯片容置于该凹陷部内,该硅基板的第二表面上沿凹陷部的开口处周缘向上凹陷形成一台阶部,所述发光二极管还包括另一玻璃封装体承载于该台阶部上,以与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片。

8.如权利要求7所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述硅基板上形成有贯通孔连通所述二凹陷部,其中该第一表面之凹陷部包含一电极结构,并且所述电极结构自该第一表面通过该贯通孔延伸至该第二表面之凹陷部。

9.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:该第一表面向下凹陷形成有一环状凹槽,该凹槽围绕所述发光二极管芯片设置,所述玻璃封装体具有一开口部,该开口部呈环状并对应卡置于该硅基板的凹槽内,以与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片。

10.如权利要求9所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述第二表面向上凹陷形成有另一环状凹槽,所述发光二极管还包括另一发光二极管芯片装置于第二表面上,该另一凹槽围绕另一发光二极管芯片设置,所述发光二极管还包括另一中空玻璃封装体,该另一中空玻璃封装体具有一开口部,该开口部呈环状并对应卡置于该硅基板的另一凹槽内以与该硅基板配合封置另一发光二极管芯片。

11.如权利要求9所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述玻璃封装体具有一供发光二极管发出的光线射入该玻璃封装体的入光面及一供发光二极管发出的光线射出该玻璃封装体的出光面。

12.如权利要求11所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述玻璃封装体的入、出光面均为曲面,且该玻璃封装体的入、出光面均沿远离发光二极管芯片的方向向外拱起。

13.如权利要求12所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述玻璃封装体的厚度由正对发光二极管芯片的中央向该玻璃封装体周缘逐渐减小或该玻璃封装体的厚度均一。

14.如权利要求3或9所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述玻璃封装体包含均匀的荧光材料,其中所述荧光材料为石榴石(garnet)结构的化合物、硫化物(sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、氮氧化物(oxynitride)、硅酸盐类(silicate)、砷化物、硒化物以及碲化物中的至少一种。

15.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述发光二极管芯片所发出的光线的波长范围在330~450纳米之间。

16.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:所述发光二极管芯片与所述玻璃封装体之间存在间隙。

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