[发明专利]发光二极管的封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电组件，特别是涉及一种发光二极管的封装结构。

背景技术

发光二极管(light emitting diode，LED)与传统灯泡比较具有较大的优势，例如体积小、寿命长、省电、无水银污染等特性。因此，随着发光效率不断地提升，发光二极管在某些领域已渐渐取代日光灯与白热灯泡。举例来说，需要高速反应的扫描仪光源、液晶显示器的背光源、汽车的仪表板照明光源、交通号志灯以及一般的照明装置等都已应用发光二极管。

现有发光二极管通常使用聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)做为封装材料。封装制程通常是以射出成型、转移成型或铸造方式完成。固化环氧树脂封胶具有相对高的硬度，其提供刮伤与磨耗阻力、高刚性、及高初始光传导性。然而，这些封装材料在短波长光线的照射下容易黄化或改变材料特性，进而降低反射杯壳之反射率以及降低组件之发光效率。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种适用于短波长组件的发光二极管的封装结构。

一种发光二极管的封装结构包括一硅基板、贴设在该硅基板上的一发光二极管芯片，及一玻璃封装体，该玻璃封装体盖罩于所述发光二极管芯片上，该硅基板具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，所述发光二极管芯片设置于该第一表面上，所述玻璃封装体卡合于所述硅基板的第一表面上，并与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片，该玻璃封装体与硅基板之间形成一容置空间，发光二极管芯片容置于该容置空间内。

与现有技术相比，本发明的发光二极管的封装结构通过玻璃封装体与硅基板配合封置发光二极管芯片，玻璃封装体卡合于硅基板上，配合稳固，且能够使得发光二极管芯片与封装体相分隔设置，同时能够适用于发光二极管高功率或发出短波长光线的工作环境。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1为本发明第一实施例的发光二极管的封装结构的正面示意图。

图2为图1中的发光二极管的封装结构沿II-II线剖视图。

图3为图1中的发光二极管的封装结构沿III-III线剖视图。

图4为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料一配合使用示意图。

图5为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。

图6为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。

图7为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。

图8为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。

图9为本发明第二实施例的发光二极管的封装结构的封装体的剖面示意图。

图10为本发明第三实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。

图11为本发明第四实施例的发光二极管的封装结构的封装体的立体图。

图12为图11中发光二极管的封装结构的封装体沿XII-XII线剖视图。

图13为本发明第五实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图。

图14为本发明第六实施例的发光二极管的封装结构的封装体的剖面示意图。

图15为本发明第七实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。

图16为本发明第八实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。

图17为本发明第九实施例的发光二极管的封装结构的正面示意图。

图18为图17中发光二极管的封装结构的封装体沿XVIII-XVIII剖面示意图，为清楚，将封装体与基板分离显示。

图19为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的一配合使用示意图。

图20为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的另一配合使用示意图。

图21为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的另一配合使用示意图。

图22为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的另一配合使用示意图。

图23为本发明第十实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。

图24为本发明第十一实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图，为清楚，将封装体与基板分离显示。

图25为本发明第十二实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图，为清楚，将封装体与基板分离显示。