[发明专利]半导体结构有效

专利信息
申请号: 201010169798.4 申请日: 2010-04-23
公开(公告)号: CN101834183A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 邰翰忠;蒋昕志 申请(专利权)人: 崇贸科技股份有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L29/06
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾台北县新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体结构,包括:

一基板;

一第一深井,形成于该基板内;

一二极管,形成于该第一深井内;以及

一晶体管,形成于该第一深井内;

其中,该二极管连接于一第一电压,该晶体管连接于一第二电压,且该二极管与该晶体管串联。

2.如权利要求1所述的半导体结构,其中该二极管包括:

一第二深井,形成于该第一深井内;

一第一掺杂井,形成于该第二深井内,且连接于该第一电压;以及

一第二掺杂井,形成于该第二深井内,且耦接于该晶体管。

3.如权利要求2所述的半导体结构,其中该基板、该第二深井及该第一掺杂井具有一第一掺杂型态,该第一深井及该第二掺杂井具有一第二掺杂型态,该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。

4.如权利要求3所述的半导体结构,其中该第一掺杂型态为P型,该第二掺杂型态为N型。

5.如申请专利范围第权利要求1所述的半导体结构,其中该晶体管包括:

一第三深井,形成于该第一深井内;

一第四深井,形成于该第一深井内;

一第三掺杂井,形成于该第三深井内;

一第四掺杂井,形成于该第三深井内,该第三掺杂井及该第四掺杂井相邻,且连接于该二极管;以及

一第五掺杂井,形成于该第四深井内,且连接于该第二电压。

6.如权利要求5所述的半导体结构,其中该基板、该第三深井及该第三掺杂井具有一第一掺杂型态,该第四深井、该第四掺杂井及该第五掺杂井具有一第二掺杂型态,该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。

7.如权利要求6所述的半导体结构,其中该第一掺杂型态为P型,该第二掺杂型态为N型。

8.如权利要求1所述的半导体结构,其中该二极管包括:

一第六掺杂井,形成于该第一深井内,且连接于该第一电压;以及

一第七掺杂井,形成于该第一深井内,且连接于该晶体管。

9.如权利要求8所述的半导体结构,其中该基板及该第七掺杂井具有一第一掺杂型态,该第一深井及该第六掺杂井具有一第二掺杂型态,该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。

10.如权利要求9所述的半导体结构,其中该第一掺杂型态为P型,该第二掺杂型态为N型。

11.如权利要求1所述的半导体结构,其中该晶体管包括:

一第五深井,形成于该第一深井内;

一第六深井,形成于该第五深井内;

一第八掺杂井,形成于该第六深井内,且连接于该二极管;

一第九掺杂井,形成于该第五深井内;以及

一第十掺杂井,形成于该第五深井内,该第九掺杂井及该第十掺杂井相邻,且连接于该第二电压。

12.如权利要求11所述的半导体结构,其中该基板、该第五深井、及该第十掺杂井具有一第一掺杂型态,该第六深井、该第八掺杂井及该第九掺杂井具有一第二掺杂型态,该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。

13.如权利要求12所述的半导体结构,其中该第一掺杂型态为P型,该第二掺杂型态为N型。

14.如权利要求1所述的半导体结构,其中该第一电压高于该第二电压。

15.如权利要求1所述的半导体结构,其中该第二电压高于该第一电压。

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