[发明专利]半导体结构有效
申请号: | 201010169798.4 | 申请日: | 2010-04-23 |
公开(公告)号: | CN101834183A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 邰翰忠;蒋昕志 | 申请(专利权)人: | 崇贸科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L29/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾台北县新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构,包括:
一基板;
一第一深井,形成于该基板内;
一二极管,形成于该第一深井内;以及
一晶体管,形成于该第一深井内;
其中,该二极管连接于一第一电压,该晶体管连接于一第二电压,且该二极管与该晶体管串联。
2.如权利要求1所述的半导体结构,其中该二极管包括:
一第二深井,形成于该第一深井内;
一第一掺杂井,形成于该第二深井内,且连接于该第一电压;以及
一第二掺杂井,形成于该第二深井内,且耦接于该晶体管。
3.如权利要求2所述的半导体结构,其中该基板、该第二深井及该第一掺杂井具有一第一掺杂型态,该第一深井及该第二掺杂井具有一第二掺杂型态,该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。
4.如权利要求3所述的半导体结构,其中该第一掺杂型态为P型,该第二掺杂型态为N型。
5.如申请专利范围第权利要求1所述的半导体结构,其中该晶体管包括:
一第三深井,形成于该第一深井内;
一第四深井,形成于该第一深井内;
一第三掺杂井,形成于该第三深井内;
一第四掺杂井,形成于该第三深井内,该第三掺杂井及该第四掺杂井相邻,且连接于该二极管;以及
一第五掺杂井,形成于该第四深井内,且连接于该第二电压。
6.如权利要求5所述的半导体结构,其中该基板、该第三深井及该第三掺杂井具有一第一掺杂型态,该第四深井、该第四掺杂井及该第五掺杂井具有一第二掺杂型态,该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。
7.如权利要求6所述的半导体结构,其中该第一掺杂型态为P型,该第二掺杂型态为N型。
8.如权利要求1所述的半导体结构,其中该二极管包括:
一第六掺杂井,形成于该第一深井内,且连接于该第一电压;以及
一第七掺杂井,形成于该第一深井内,且连接于该晶体管。
9.如权利要求8所述的半导体结构,其中该基板及该第七掺杂井具有一第一掺杂型态,该第一深井及该第六掺杂井具有一第二掺杂型态,该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。
10.如权利要求9所述的半导体结构,其中该第一掺杂型态为P型,该第二掺杂型态为N型。
11.如权利要求1所述的半导体结构,其中该晶体管包括:
一第五深井,形成于该第一深井内;
一第六深井,形成于该第五深井内;
一第八掺杂井,形成于该第六深井内,且连接于该二极管;
一第九掺杂井,形成于该第五深井内;以及
一第十掺杂井,形成于该第五深井内,该第九掺杂井及该第十掺杂井相邻,且连接于该第二电压。
12.如权利要求11所述的半导体结构,其中该基板、该第五深井、及该第十掺杂井具有一第一掺杂型态,该第六深井、该第八掺杂井及该第九掺杂井具有一第二掺杂型态,该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。
13.如权利要求12所述的半导体结构,其中该第一掺杂型态为P型,该第二掺杂型态为N型。
14.如权利要求1所述的半导体结构,其中该第一电压高于该第二电压。
15.如权利要求1所述的半导体结构,其中该第二电压高于该第一电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的