[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基板；

一第一深井，形成于该基板内；

一二极管，形成于该第一深井内；以及

一晶体管，形成于该第一深井内；

其中，该二极管连接于一第一电压，该晶体管连接于一第二电压，且该二极管与该晶体管串联。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该二极管包括：

一第二深井，形成于该第一深井内；

一第一掺杂井，形成于该第二深井内，且连接于该第一电压；以及

一第二掺杂井，形成于该第二深井内，且耦接于该晶体管。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该基板、该第二深井及该第一掺杂井具有一第一掺杂型态，该第一深井及该第二掺杂井具有一第二掺杂型态，该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该第一掺杂型态为P型，该第二掺杂型态为N型。

5.如申请专利范围第权利要求1所述的半导体结构，其中该晶体管包括：

一第三深井，形成于该第一深井内；

一第四深井，形成于该第一深井内；

一第三掺杂井，形成于该第三深井内；

一第四掺杂井，形成于该第三深井内，该第三掺杂井及该第四掺杂井相邻，且连接于该二极管；以及

一第五掺杂井，形成于该第四深井内，且连接于该第二电压。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该基板、该第三深井及该第三掺杂井具有一第一掺杂型态，该第四深井、该第四掺杂井及该第五掺杂井具有一第二掺杂型态，该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该第一掺杂型态为P型，该第二掺杂型态为N型。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该二极管包括：

一第六掺杂井，形成于该第一深井内，且连接于该第一电压；以及

一第七掺杂井，形成于该第一深井内，且连接于该晶体管。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该基板及该第七掺杂井具有一第一掺杂型态，该第一深井及该第六掺杂井具有一第二掺杂型态，该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该第一掺杂型态为P型，该第二掺杂型态为N型。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其中该晶体管包括：

一第五深井，形成于该第一深井内；

一第六深井，形成于该第五深井内；

一第八掺杂井，形成于该第六深井内，且连接于该二极管；

一第九掺杂井，形成于该第五深井内；以及

一第十掺杂井，形成于该第五深井内，该第九掺杂井及该第十掺杂井相邻，且连接于该第二电压。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其中该基板、该第五深井、及该第十掺杂井具有一第一掺杂型态，该第六深井、该第八掺杂井及该第九掺杂井具有一第二掺杂型态，该第一掺杂型态与该第二掺杂型态互补。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其中该第一掺杂型态为P型，该第二掺杂型态为N型。

14.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一电压高于该第二电压。

15.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二电压高于该第一电压。